Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
В трехсантиметровом диапазоне длин волн измерены изменения поверхностного сопротивления эпитак
 сиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) в зависимости от величины переменного 
 и постоянного магнитных полей. Исследованы пленки YBa₂Cu₃O₇₋d на сапфире. Установлено,...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1995 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174896 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, А.В. Багада // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 12. — С. 1192-1199. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860025906943229952 |
|---|---|
| author | Мелков, Г.А. Малышев, В.Ю. Багада, А.В. |
| author_facet | Мелков, Г.А. Малышев, В.Ю. Багада, А.В. |
| citation_txt | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, А.В. Багада // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 12. — С. 1192-1199. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В трехсантиметровом диапазоне длин волн измерены изменения поверхностного сопротивления эпитак
сиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) в зависимости от величины переменного 
и постоянного магнитных полей. Исследованы пленки YBa₂Cu₃O₇₋d на сапфире. Установлено, что перемен
ное магнитное поле оказывает существенно более сильное влияние на поверхностное сопротивление, чем 
постоянное. Для объяснения экспериментальных результатов сделано предположение о том, что пленка 
ВТСП не является идеальный сверхпроводником, а состоит из последовательно соединенных участков раз
личного типа: участков идеального сверхпроводника, участков с низкоомными и высокоомными внутригра- 
нульными джозефсоновскими связями, шунтированными идеальным сверхпроводником, и, наконец, весьма 
незначительного для эпитаксиальных пленок количества участков межгранульных джозефсоновских связей. 
Зависимости поверхностного сопротивления от постоянного магнитного поля обусловлены движением абри- 
косовских вихрей в участках идеального сверхпроводника, а от амплитуды переменного магнитного поля — 
переключением высокоомных контактов в низкоомное состояние.
У трьохсантиметровому діапазоні довжин хвиль виміряно зміни поверхневого опору епітаксіальних плі
вок високотемпературних надпровідників (ВТНП) в залежності від величини змінного і постійного магнітних 
полів. Досліджено плівки YBa₂Cu₃O₇₋d на сапфірі. Встановлено, що змінне магнітне поле істотно сильніше 
впливає на поверхневий опір, ніж постійне. Для пояснення експериментальних результатів зроблено при
пущення про те, що плівка ВТНП не е ідеальним надпровідником, а складається з послідовно поєднаних 
ділянок різного типу: ділянок ідеального надпровідника, ділянок з низькоомними і високоомними внутрішнь- 
огранульними джозефсонівськими зв’язками, шунтуваними ідеальним надпровідником і, нарешті, дуже не
значної для епітаксіальних плівок кількості ділянок міжгранульних джозефсонівських зв’язків. Залежності 
поверхневого опору від постійного магнітного поля обумовлені рухом абрікосовських вихорів в ділянках 
ідеального надпровідника, а від амплітуди змінного магнітного поля — перемиканням високоомних контактів 
в низькоомний стан.
In the 3 cm band dependences of the epitaxial HTS 
film surface resistance on the magnitude of ac and dc 
magnetic fields have been measured. YBa₂Cu₃O₇₋d 
films on sapphire were investigated. It was established 
that alternating magnetic field produces a stronger im
pact on the surface resistance than dc field. To explain 
experimental results the assumption is made that a HTS
film is not an ideal superconductor and consists of se
ries-connected sections of various types: sections of an 
ideal superconductor, sections of low and large resis
tance intragranular Josephson junctions, shunted by the 
ideal superconductor, and finally, sections of intergra- 
nular Josephson junctions few for epitaxial films. In
these conditions the dependences of the surface resis
tance on dc magnetic field are caused by Abrikosov’s 
vortices moving in ideal superconductive sections, and 
dependences on the amplitude of ac magnetic field are 
caused by switching of large resistance junctions to a 
low resistance state.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:50:07Z |
| format | Article |
| fulltext |
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174896 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:50:07Z |
| publishDate | 1995 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мелков, Г.А. Малышев, В.Ю. Багада, А.В. 2021-01-28T15:29:45Z 2021-01-28T15:29:45Z 1995 Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, А.В. Багада // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 12. — С. 1192-1199. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174896 538.945;537.86 В трехсантиметровом диапазоне длин волн измерены изменения поверхностного сопротивления эпитак
 сиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) в зависимости от величины переменного 
 и постоянного магнитных полей. Исследованы пленки YBa₂Cu₃O₇₋d на сапфире. Установлено, что перемен
 ное магнитное поле оказывает существенно более сильное влияние на поверхностное сопротивление, чем 
 постоянное. Для объяснения экспериментальных результатов сделано предположение о том, что пленка 
 ВТСП не является идеальный сверхпроводником, а состоит из последовательно соединенных участков раз
 личного типа: участков идеального сверхпроводника, участков с низкоомными и высокоомными внутригра- 
 нульными джозефсоновскими связями, шунтированными идеальным сверхпроводником, и, наконец, весьма 
 незначительного для эпитаксиальных пленок количества участков межгранульных джозефсоновских связей. 
 Зависимости поверхностного сопротивления от постоянного магнитного поля обусловлены движением абри- 
 косовских вихрей в участках идеального сверхпроводника, а от амплитуды переменного магнитного поля — 
 переключением высокоомных контактов в низкоомное состояние. У трьохсантиметровому діапазоні довжин хвиль виміряно зміни поверхневого опору епітаксіальних плі
 вок високотемпературних надпровідників (ВТНП) в залежності від величини змінного і постійного магнітних 
 полів. Досліджено плівки YBa₂Cu₃O₇₋d на сапфірі. Встановлено, що змінне магнітне поле істотно сильніше 
 впливає на поверхневий опір, ніж постійне. Для пояснення експериментальних результатів зроблено при
 пущення про те, що плівка ВТНП не е ідеальним надпровідником, а складається з послідовно поєднаних 
 ділянок різного типу: ділянок ідеального надпровідника, ділянок з низькоомними і високоомними внутрішнь- 
 огранульними джозефсонівськими зв’язками, шунтуваними ідеальним надпровідником і, нарешті, дуже не
 значної для епітаксіальних плівок кількості ділянок міжгранульних джозефсонівських зв’язків. Залежності 
 поверхневого опору від постійного магнітного поля обумовлені рухом абрікосовських вихорів в ділянках 
 ідеального надпровідника, а від амплітуди змінного магнітного поля — перемиканням високоомних контактів 
 в низькоомний стан. In the 3 cm band dependences of the epitaxial HTS 
 film surface resistance on the magnitude of ac and dc 
 magnetic fields have been measured. YBa₂Cu₃O₇₋d 
 films on sapphire were investigated. It was established 
 that alternating magnetic field produces a stronger im
 pact on the surface resistance than dc field. To explain 
 experimental results the assumption is made that a HTS
 film is not an ideal superconductor and consists of se
 ries-connected sections of various types: sections of an 
 ideal superconductor, sections of low and large resis
 tance intragranular Josephson junctions, shunted by the 
 ideal superconductor, and finally, sections of intergra- 
 nular Josephson junctions few for epitaxial films. In
 these conditions the dependences of the surface resis
 tance on dc magnetic field are caused by Abrikosov’s 
 vortices moving in ideal superconductive sections, and 
 dependences on the amplitude of ac magnetic field are 
 caused by switching of large resistance junctions to a 
 low resistance state. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников Microwave impedance of epitaxial high-temperature superconductor films Article published earlier |
| spellingShingle | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников Мелков, Г.А. Малышев, В.Ю. Багада, А.В. |
| title | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников |
| title_alt | Microwave impedance of epitaxial high-temperature superconductor films |
| title_full | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников |
| title_fullStr | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников |
| title_full_unstemmed | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников |
| title_short | Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников |
| title_sort | микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174896 |
| work_keys_str_mv | AT melkovga mikrovolnovyiimpedansépitaksialʹnyhplenokvysokotemperaturnyhsverhprovodnikov AT malyševvû mikrovolnovyiimpedansépitaksialʹnyhplenokvysokotemperaturnyhsverhprovodnikov AT bagadaav mikrovolnovyiimpedansépitaksialʹnyhplenokvysokotemperaturnyhsverhprovodnikov AT melkovga microwaveimpedanceofepitaxialhightemperaturesuperconductorfilms AT malyševvû microwaveimpedanceofepitaxialhightemperaturesuperconductorfilms AT bagadaav microwaveimpedanceofepitaxialhightemperaturesuperconductorfilms |