Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂
Построена модель фазового перехода для слоистых кристаллов типа TlInS₂. Получена температурная зависимость тензора модулей упругости в различных фазах. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными вблизи последовательности фазовых переходов высокосимметричная—не соразм...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1995 |
| Hauptverfasser: | Гаджиев, Б.Р., Сеидов Мир-Гасан, Ю., Абдурахманов, В.Р. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174902 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂ / Б.Р. Гаджиев, Ю. Сеидов Мир-Гасан, В.Р. Абдурахманов // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 12. — С. 1241-1245. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
von: Seyidov, М.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Seyidov, М.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2014)
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
von: L. Piskach, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: L. Piskach, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
von: Абдуллаев, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Абдуллаев, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Electric properties of TlInS₂ single crystals
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
von: Sardarly, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Sardarly, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Барическое поведение пироэлектрического коэффициента в слоистых кристаллах TlInS₂ и TlGaSe₂
von: Гомоннай, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Гомоннай, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
von: M. Seyidov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: M. Seyidov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Dielectric properties of TlIn(S₁-xSex)₂ polycrystals near phase transitions
von: Rosul, R.R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Rosul, R.R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
von: Годжаев, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Годжаев, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Резонансная прозрачность фотонного кристалла с дефектом в виде слоистого сверхпроводника
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2017)
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
von: Ismayilova, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ismayilova, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
von: R. R. Rosul, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: R. R. Rosul, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Thermoelectric figure of merit of TlIn1-xYbxTe2 (0 kh 0.10)
von: F. F. Aliev, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: F. F. Aliev, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Температурна залежність раманівських активних мод кристалів TlIn(0,95Se0,05)2
von: Gomonnai, O. O., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Gomonnai, O. O., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Низкотемпературные термодинамические характеристики моногерманида эрбия
von: Горбачук, Н.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Горбачук, Н.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование упругих модулей ПСТМ типа DBN, ПТНБ и гексанита-Р импульсным УЗ-методом
von: Запорожец, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Запорожец, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности разработки цифровых волоконно-оптических модулей
von: Мержвинский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Мержвинский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Особенности технологии изготовления анизотропных термоэлектрических модулей
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si²
von: Гаджиев, Б.Р.
Veröffentlicht: (2000)
von: Гаджиев, Б.Р.
Veröffentlicht: (2000)
О влиянии упругих характеристик покрытия на затухание краевого эффекта при одноосном продольном сжатии слоистого композитного материала
von: Быстров, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Быстров, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Спиновые флуктуации и низкотемпературные особенности теплового расширения моносилицида железа
von: Волков, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Волков, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Пространства модулей суперструн
von: Малюта, Ю.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Малюта, Ю.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Релаксация намагниченности слоистого горного массива
von: Селяков, Б.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Селяков, Б.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Двухатомная модель квантового кристалла
von: Полуэктов, Ю.М.
Veröffentlicht: (2008)
von: Полуэктов, Ю.М.
Veröffentlicht: (2008)
К статистике скоростей расширения планетарных туманностей
von: Гаджиев, М.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)
von: Гаджиев, М.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)
Амплитудный гистерезис поверхностного реактанса слоистого сверхпроводника
von: Апостолов, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Апостолов, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Термодинамика одномерного обобщенного вигнеровского кристалла
von: Славин, В.В.
Veröffentlicht: (2003)
von: Славин, В.В.
Veröffentlicht: (2003)
Нелинейные локализованные моды в пластине слоистого сверхпроводника
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Динамическая проводимость слоистого проводника в квантовом пределе
von: Гохфельд, В.М.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гохфельд, В.М.
Veröffentlicht: (2012)
Неоднородность псевдощелевого состояния допированного слоистого купратного антиферромагнетика
von: Cергеева, Г.Г.
Veröffentlicht: (2003)
von: Cергеева, Г.Г.
Veröffentlicht: (2003)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Дислокации и краудионы в двумерных кристаллах. Часть III: Пластическая деформация кристалла как результат перемещения дефектов и их взаимодействие с полем упругих напряжений
von: Нацик, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Нацик, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Физическая природа мономерной флуоресценции кристалла ортобромбензофенона
von: Пышкин, О.С.
Veröffentlicht: (2009)
von: Пышкин, О.С.
Veröffentlicht: (2009)
Низкотемпературные аномалии внутреннего трения в оксидных керамиках
von: Варюхин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Варюхин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
von: Сивоконь, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Сивоконь, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
ЭПР в CsDy(MoO₄)₂ и особенности структуры магнитоупорядоченной фазы этого кристалла
von: Андерс, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Андерс, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Ähnliche Einträge
-
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
von: Seyidov, М.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
von: L. Piskach, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
von: Абдуллаев, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Electric properties of TlInS₂ single crystals
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2007)