Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1996
• Hauptverfasser: Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Красовицкий, Вит.Б., Миронов, О.А., Макаровский, О.Н., Emeleus, C.J., Whall, T.E.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Schlagworte: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при температурах выше 30 К свойства образцов отражают поведение электронов не только в самом δ-слое, но и в прилегающих к нему областях, имеющих свойства легированною полупроводника с четко выраженной температурной областью экспоненциальной зависимости сопротивления от обратной температуры. Вивчено температурну зміну (в інтервалі 1,6-300 К) електронних кінетичних характеристик (провідності, магнітоопору, ерс Холла) кристалів епітаксійного кремнію, що містять у собі δ(Sb)-шар з різною поверхневою концентрацією легуючих атомів стибію. Вперше установлено, що при температурах вищих ніж 30 К властивості зразків відображують поведінку електронів не тільки в самому δ-шарі, але й в прилеглих до нього областях, які мають властивості легуючого напівпровідника з чітко виявленою температурною областю експоненційної залежності опору від зворотної температури. The variation of electronic kinetic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall emf) with temperature has been studied over а temperaiure range 1.6-300 К in epitaxial Si crystals involving δ(Sb) layer with а different sheet concentration of Sb doping atoms. It has been established for the first time that at the temperatures above 30 К the properties of these samples reflect the behavior of electrons not only in the very δ-layer but also in the adjacent regions showing the alloyed semiconductor properties with а clearly defined temperature region of exponential variation of resistance with inverse temperature.