Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при темп...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1996 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859822579752108032 |
|---|---|
| author | Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Красовицкий, Вит.Б. Миронов, О.А. Макаровский, О.Н. Emeleus, C.J. Whall, T.E. |
| author_facet | Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Красовицкий, Вит.Б. Миронов, О.А. Макаровский, О.Н. Emeleus, C.J. Whall, T.E. |
| citation_txt | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при температурах выше 30 К свойства образцов отражают поведение электронов не только в самом δ-слое, но и в прилегающих к нему областях, имеющих свойства легированною полупроводника с четко выраженной температурной областью экспоненциальной зависимости сопротивления от обратной температуры.
Вивчено температурну зміну (в інтервалі 1,6-300 К) електронних кінетичних характеристик (провідності, магнітоопору, ерс Холла) кристалів епітаксійного кремнію, що містять у собі δ(Sb)-шар з різною поверхневою концентрацією легуючих атомів стибію. Вперше установлено, що при температурах вищих ніж 30 К властивості зразків відображують поведінку електронів не тільки в самому δ-шарі, але й в прилеглих до нього областях, які мають властивості легуючого напівпровідника з чітко виявленою температурною областю експоненційної залежності опору від зворотної температури.
The variation of electronic kinetic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall emf) with temperature has been studied over а temperaiure range 1.6-300 К in epitaxial Si crystals involving δ(Sb) layer with а different sheet concentration of Sb doping atoms. It has been established for the first time that at the temperatures above 30 К the properties of these samples reflect the behavior of electrons not only in the very δ-layer but also in the adjacent regions showing the alloyed semiconductor properties with а clearly defined temperature region of exponential variation of resistance with inverse temperature.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:26:08Z |
| format | Article |
| fulltext |
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174976 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:26:08Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Красовицкий, Вит.Б. Миронов, О.А. Макаровский, О.Н. Emeleus, C.J. Whall, T.E. 2021-01-29T07:51:05Z 2021-01-29T07:51:05Z 1996 Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976 Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при температурах выше 30 К свойства образцов отражают поведение электронов не только в самом δ-слое, но и в прилегающих к нему областях, имеющих свойства легированною полупроводника с четко выраженной температурной областью экспоненциальной зависимости сопротивления от обратной температуры. Вивчено температурну зміну (в інтервалі 1,6-300 К) електронних кінетичних характеристик (провідності, магнітоопору, ерс Холла) кристалів епітаксійного кремнію, що містять у собі δ(Sb)-шар з різною поверхневою концентрацією легуючих атомів стибію. Вперше установлено, що при температурах вищих ніж 30 К властивості зразків відображують поведінку електронів не тільки в самому δ-шарі, але й в прилеглих до нього областях, які мають властивості легуючого напівпровідника з чітко виявленою температурною областю експоненційної залежності опору від зворотної температури. The variation of electronic kinetic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall emf) with temperature has been studied over а temperaiure range 1.6-300 К in epitaxial Si crystals involving δ(Sb) layer with а different sheet concentration of Sb doping atoms. It has been established for the first time that at the temperatures above 30 К the properties of these samples reflect the behavior of electrons not only in the very δ-layer but also in the adjacent regions showing the alloyed semiconductor properties with а clearly defined temperature region of exponential variation of resistance with inverse temperature. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина Peculiarities of electronic properties of δ‹Sb› layers in epitaxial Si. 1. General physical pattern Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Красовицкий, Вит.Б. Миронов, О.А. Макаровский, О.Н. Emeleus, C.J. Whall, T.E. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина |
| title_alt | Peculiarities of electronic properties of δ‹Sb› layers in epitaxial Si. 1. General physical pattern |
| title_full | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина |
| title_fullStr | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина |
| title_full_unstemmed | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина |
| title_short | Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина |
| title_sort | особенности электронных свойств δ‹sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. общая физическая картина |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976 |
| work_keys_str_mv | AT kaširinvû osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT krasovickiivitb osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT makarovskiion osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT emeleuscj osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT whallte osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina AT kaširinvû peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern AT komnikûf peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern AT krasovickiivitb peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern AT mironovoa peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern AT makarovskiion peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern AT emeleuscj peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern AT whallte peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern |