Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина

Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина

Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при темп...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Красовицкий, Вит.Б., Миронов, О.А., Макаровский, О.Н., Emeleus, C.J., Whall, T.E.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174976
record_format dspace
spelling Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Красовицкий, Вит.Б.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Emeleus, C.J.
Whall, T.E.
2021-01-29T07:51:05Z
2021-01-29T07:51:05Z
1996
Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976
Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при температурах выше 30 К свойства образцов отражают поведение электронов не только в самом δ-слое, но и в прилегающих к нему областях, имеющих свойства легированною полупроводника с четко выраженной температурной областью экспоненциальной зависимости сопротивления от обратной температуры.
Вивчено температурну зміну (в інтервалі 1,6-300 К) електронних кінетичних характеристик (провідності, магнітоопору, ерс Холла) кристалів епітаксійного кремнію, що містять у собі δ(Sb)-шар з різною поверхневою концентрацією легуючих атомів стибію. Вперше установлено, що при температурах вищих ніж 30 К властивості зразків відображують поведінку електронів не тільки в самому δ-шарі, але й в прилеглих до нього областях, які мають властивості легуючого напівпровідника з чітко виявленою температурною областю експоненційної залежності опору від зворотної температури.
The variation of electronic kinetic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall emf) with temperature has been studied over а temperaiure range 1.6-300 К in epitaxial Si crystals involving δ(Sb) layer with а different sheet concentration of Sb doping atoms. It has been established for the first time that at the temperatures above 30 К the properties of these samples reflect the behavior of electrons not only in the very δ-layer but also in the adjacent regions showing the alloyed semiconductor properties with а clearly defined temperature region of exponential variation of resistance with inverse temperature.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
Peculiarities of electronic properties of δ‹Sb› layers in epitaxial Si. 1. General physical pattern
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
spellingShingle Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Красовицкий, Вит.Б.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Emeleus, C.J.
Whall, T.E.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
title_full Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
title_fullStr Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
title_full_unstemmed Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
title_sort особенности электронных свойств δ‹sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. общая физическая картина
author Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Красовицкий, Вит.Б.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Emeleus, C.J.
Whall, T.E.
author_facet Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Красовицкий, Вит.Б.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Emeleus, C.J.
Whall, T.E.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Peculiarities of electronic properties of δ‹Sb› layers in epitaxial Si. 1. General physical pattern
description Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при температурах выше 30 К свойства образцов отражают поведение электронов не только в самом δ-слое, но и в прилегающих к нему областях, имеющих свойства легированною полупроводника с четко выраженной температурной областью экспоненциальной зависимости сопротивления от обратной температуры. Вивчено температурну зміну (в інтервалі 1,6-300 К) електронних кінетичних характеристик (провідності, магнітоопору, ерс Холла) кристалів епітаксійного кремнію, що містять у собі δ(Sb)-шар з різною поверхневою концентрацією легуючих атомів стибію. Вперше установлено, що при температурах вищих ніж 30 К властивості зразків відображують поведінку електронів не тільки в самому δ-шарі, але й в прилеглих до нього областях, які мають властивості легуючого напівпровідника з чітко виявленою температурною областю експоненційної залежності опору від зворотної температури. The variation of electronic kinetic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall emf) with temperature has been studied over а temperaiure range 1.6-300 К in epitaxial Si crystals involving δ(Sb) layer with а different sheet concentration of Sb doping atoms. It has been established for the first time that at the temperatures above 30 К the properties of these samples reflect the behavior of electrons not only in the very δ-layer but also in the adjacent regions showing the alloyed semiconductor properties with а clearly defined temperature region of exponential variation of resistance with inverse temperature.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174976
citation_txt Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, Вит.Б. Красовицкий, О.А. Миронов, О.Н. Макаровский, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kaširinvû osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT krasovickiivitb osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT makarovskiion osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT emeleuscj osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT whallte osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii1obŝaâfizičeskaâkartina
AT kaširinvû peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
AT komnikûf peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
AT krasovickiivitb peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
AT mironovoa peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
AT makarovskiion peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
AT emeleuscj peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
AT whallte peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi1generalphysicalpattern
first_indexed 2025-12-07T15:26:08Z
last_indexed 2025-12-07T15:26:08Z
_version_ 1850863694330724352

Ähnliche Einträge