Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина - Каширин, В.Ю.; Комник, Ю.Ф.; Красовицкий, Вит.Б.; Миронов, О.А.; Макаровский, О.Н.; Emeleus, C.J.; Whall, T.E. (Физика низких температур, 1996)
Изучено температурное изменение (в интервале 1,6-300 К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ(Sb)-слой с различной поверхностной концентрацией легирующих атомов сурьмы. Впервые установлено, что при температурах выше 30 К свойства образцов отражают поведение электронов не только в самом δ-слое, но и в прилегающих к нему областях, имеющих свойства легированною полупроводника с четко выраженной температурной областью экспоненциальной зависимости сопротивления от обратной температуры. Вивчено температурну зміну (в інтервалі 1,6-300 К) електронних кінетичних характеристик (провідності, магнітоопору, ерс Холла) кристалів епітаксійного кремнію, що містять у собі δ(Sb)-шар з різною поверхневою концентрацією легуючих атомів стибію. Вперше установлено, що при температурах вищих ніж 30 К властивості зразків відображують поведінку електронів не тільки в самому δ-шарі, але й в прилеглих до нього областях, які мають властивості легуючого напівпровідника з чітко виявленою температурною областю експоненційної залежності опору від зворотної температури. The variation of electronic kinetic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall emf) with temperature has been studied over а temperaiure range 1.6-300 К in epitaxial Si crystals involving δ(Sb) layer with а different sheet concentration of Sb doping atoms. It has been established for the first time that at the temperatures above 30 К the properties of these samples reflect the behavior of electrons not only in the very δ-layer but also in the adjacent regions showing the alloyed semiconductor properties with а clearly defined temperature region of exponential variation of resistance with inverse temperature.