Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия

Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия

Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Макаровский, О.Н., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174977
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174977
record_format dspace
spelling Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
2021-01-29T07:51:39Z
2021-01-29T07:51:39Z
1996
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174977
Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с эффектами слабой локализации электронов и электрон-электронного взаимодействия в двумерной системе. Определена температурная зависимость времени фазовой релаксации электронов, время спин-орбитальною взаимодействия и параметр λD электрон-электронного взаимодействия. Установлено, что уменьшение концентрации электронов в δ-слое сопровождается уменьшением параметра λD, что может быть объяснено особенностями процессов экранирования в двумерной электронной системе.
Вивчено температурні (в інтервалі 1,6-20 К) і магнітопольові (до 4,5 Тл) залежності провідності та ерс Холла для δ(Sb) -шарів в Si з різною холлівською концентрацією носіїв заряду. Показано, що ці залежності з великою точністю описуються квантовими поправками до провідності, зв'язаними з ефектами слабкої локалізації електронів та електрон-електронної взаємодії в двовимірній системі. Визначено температурну залежність часу фазової релаксації електронів, час спін-орбітальної взаємодії і параметр λD електрон-електронної взаємодії. Установлено, що зменшення концентрації електронів в δ-шарі супроводжується зменшенням параметра λD, що може бути пояснено особливостями процесів екранування в двовимірній електронній системі.
The temperature (from 1.5 to 2 К) and magnetic field (up to 4.5 Т) dependences of conductivity and Hall's emf have been studied in δ(Sb)-layers of Si with а different Hall's concentration of charge carriers. It is shown that these dependences can be described to а high degree of accuracy by the quantum corrections to conductivity associated with effects of weak localization of electron and electron—electron interaction in а two- dimensional system. The temperature dependence of electron phase relaxation time, the spin-orbit interaction time and the parameter λD of electron—electron interaction have been determined. It is found that decreasing coccentration of electron in а δ-layer involves а decrease in λD that mау be explained by the peculiarities of screening processes in а two-dimensional electronic system.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
Peculiarities of electronic properties of δ(Sb) layers in epitaxial Si. 2. Effects of weak localization and electron-electron interaction
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
spellingShingle Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_full Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_fullStr Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_full_unstemmed Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
title_sort особенности электронных свойств δ(sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
author Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
author_facet Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Макаровский, О.Н.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Peculiarities of electronic properties of δ(Sb) layers in epitaxial Si. 2. Effects of weak localization and electron-electron interaction
description Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с эффектами слабой локализации электронов и электрон-электронного взаимодействия в двумерной системе. Определена температурная зависимость времени фазовой релаксации электронов, время спин-орбитальною взаимодействия и параметр λD электрон-электронного взаимодействия. Установлено, что уменьшение концентрации электронов в δ-слое сопровождается уменьшением параметра λD, что может быть объяснено особенностями процессов экранирования в двумерной электронной системе. Вивчено температурні (в інтервалі 1,6-20 К) і магнітопольові (до 4,5 Тл) залежності провідності та ерс Холла для δ(Sb) -шарів в Si з різною холлівською концентрацією носіїв заряду. Показано, що ці залежності з великою точністю описуються квантовими поправками до провідності, зв'язаними з ефектами слабкої локалізації електронів та електрон-електронної взаємодії в двовимірній системі. Визначено температурну залежність часу фазової релаксації електронів, час спін-орбітальної взаємодії і параметр λD електрон-електронної взаємодії. Установлено, що зменшення концентрації електронів в δ-шарі супроводжується зменшенням параметра λD, що може бути пояснено особливостями процесів екранування в двовимірній електронній системі. The temperature (from 1.5 to 2 К) and magnetic field (up to 4.5 Т) dependences of conductivity and Hall's emf have been studied in δ(Sb)-layers of Si with а different Hall's concentration of charge carriers. It is shown that these dependences can be described to а high degree of accuracy by the quantum corrections to conductivity associated with effects of weak localization of electron and electron—electron interaction in а two- dimensional system. The temperature dependence of electron phase relaxation time, the spin-orbit interaction time and the parameter λD of electron—electron interaction have been determined. It is found that decreasing coccentration of electron in а δ-layer involves а decrease in λD that mау be explained by the peculiarities of screening processes in а two-dimensional electronic system.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174977
citation_txt Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kaširinvû osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslaboilokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodeistviâ
AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslaboilokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodeistviâ
AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslaboilokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodeistviâ
AT makarovskiion osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslaboilokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodeistviâ
AT émeleusčdž osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslaboilokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodeistviâ
AT vollté osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremnii2éffektyslaboilokalizaciiiélektronélektronnogovzaimodeistviâ
AT kaširinvû peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi2effectsofweaklocalizationandelectronelectroninteraction
AT komnikûf peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi2effectsofweaklocalizationandelectronelectroninteraction
AT mironovoa peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi2effectsofweaklocalizationandelectronelectroninteraction
AT makarovskiion peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi2effectsofweaklocalizationandelectronelectroninteraction
AT émeleusčdž peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi2effectsofweaklocalizationandelectronelectroninteraction
AT vollté peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsi2effectsofweaklocalizationandelectronelectroninteraction
first_indexed 2025-12-07T18:56:14Z
last_indexed 2025-12-07T18:56:14Z
_version_ 1850876912541368321

Ähnliche Einträge