Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром
Рассмотрены энергии собственных (локализованных и делокализованных) состояний, их плотность и переход диэлектрик—металл в двухзонной модели 2D кристалла, исходный электронный спектр которого содержит две (широкую и узкую) гибридизирующиеся между собой зоны. Показано, что величина гибридизации сущест...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1996 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174978 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром / М.А. Иванов, В.М. Локтев, Ю.В. Скрипник // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1186-1195. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862696175854944256 |
|---|---|
| author | Иванов, М.А. Локтев, В.М. Скрипник, Ю.В. |
| author_facet | Иванов, М.А. Локтев, В.М. Скрипник, Ю.В. |
| citation_txt | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром / М.А. Иванов, В.М. Локтев, Ю.В. Скрипник // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1186-1195. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Рассмотрены энергии собственных (локализованных и делокализованных) состояний, их плотность и переход диэлектрик—металл в двухзонной модели 2D кристалла, исходный электронный спектр которого содержит две (широкую и узкую) гибридизирующиеся между собой зоны. Показано, что величина гибридизации существенно сказывается на всех характеристиках, определяющих спектральные и транспортные свойства как диэлектрической, так и металлической фаз системы. Рассчитана критическая концентрация перехода диэлектрик—металл, вызванною допированием, и показано, что плотность состояний в окрестности уровня Ферми может быть немонотонной функцией концентрации носителей. Сделана попытка связать полученные результаты с поведением плотности состояний и наблюдаемой зависимостью критической температуры от концентрации носителей в высокотемпературных сверхпроводниках.
Розглянуто енергії власних (локалізованих і делокалізованних) станів, їх густина та перехід діелектрик-метал у двухзонній моделі 2D кристала, вихідний електронний спектр якого складається з двох (широкої та вузької) зон, що гібридизуються між собою. Показано, що величина гібридизації суттєво відбивається на усіх характеристиках, що визначають спектральні і транспортні властивості як діелектричної, так і металевої фаз системи. Розраховано критичну концентрацію переходу діелектрик-метал, що викликаний допіруванням, і показано, що густина станів в околі рівня Фермі може бути немонотонною функцією концентрації носіїв. Зроблено спробу зв'язати отримані результати з поведінкою густини станів і спостережуваною залежністю критичної температури від концентрації у високотемпературних надпровідниках.
The characteristic energies of localized and delocalized states, their densities and insulator-metal transition in а two-band model of 2D crystal, the initial electronic spectrum of which consists of two (narrow and wide) hybridizating bands are considered. It is shown that hybridization essentially affect all characteristics defining spectral and transport properties of both insulating arid metalic phases of the system. Critical concentration of insulator—metal transition induced by doping is calculated and it is shown that density of states near Fermi level can be non-monotonic function of carrier concentration. The attempt is made to relate the results obtained with а behavior of density of states and observable dependence of critical temperature on dopant concentration in high-Tc superconductors.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:26:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174978 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:26:45Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Иванов, М.А. Локтев, В.М. Скрипник, Ю.В. 2021-01-29T07:51:57Z 2021-01-29T07:51:57Z 1996 Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром / М.А. Иванов, В.М. Локтев, Ю.В. Скрипник // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1186-1195. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174978 Рассмотрены энергии собственных (локализованных и делокализованных) состояний, их плотность и переход диэлектрик—металл в двухзонной модели 2D кристалла, исходный электронный спектр которого содержит две (широкую и узкую) гибридизирующиеся между собой зоны. Показано, что величина гибридизации существенно сказывается на всех характеристиках, определяющих спектральные и транспортные свойства как диэлектрической, так и металлической фаз системы. Рассчитана критическая концентрация перехода диэлектрик—металл, вызванною допированием, и показано, что плотность состояний в окрестности уровня Ферми может быть немонотонной функцией концентрации носителей. Сделана попытка связать полученные результаты с поведением плотности состояний и наблюдаемой зависимостью критической температуры от концентрации носителей в высокотемпературных сверхпроводниках. Розглянуто енергії власних (локалізованих і делокалізованних) станів, їх густина та перехід діелектрик-метал у двухзонній моделі 2D кристала, вихідний електронний спектр якого складається з двох (широкої та вузької) зон, що гібридизуються між собою. Показано, що величина гібридизації суттєво відбивається на усіх характеристиках, що визначають спектральні і транспортні властивості як діелектричної, так і металевої фаз системи. Розраховано критичну концентрацію переходу діелектрик-метал, що викликаний допіруванням, і показано, що густина станів в околі рівня Фермі може бути немонотонною функцією концентрації носіїв. Зроблено спробу зв'язати отримані результати з поведінкою густини станів і спостережуваною залежністю критичної температури від концентрації у високотемпературних надпровідниках. The characteristic energies of localized and delocalized states, their densities and insulator-metal transition in а two-band model of 2D crystal, the initial electronic spectrum of which consists of two (narrow and wide) hybridizating bands are considered. It is shown that hybridization essentially affect all characteristics defining spectral and transport properties of both insulating arid metalic phases of the system. Critical concentration of insulator—metal transition induced by doping is calculated and it is shown that density of states near Fermi level can be non-monotonic function of carrier concentration. The attempt is made to relate the results obtained with а behavior of density of states and observable dependence of critical temperature on dopant concentration in high-Tc superconductors. Работа частично поддержана Международным фондом "Возрождение" (грант ISSEP SPU 042026) и Международным научным фондом (грант K5O100). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкоразмерные и неупорядоченные системы Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром Impurity states and insulator-metal transition in 2D systems with hybridized spectrum Article published earlier |
| spellingShingle | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром Иванов, М.А. Локтев, В.М. Скрипник, Ю.В. Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| title | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром |
| title_alt | Impurity states and insulator-metal transition in 2D systems with hybridized spectrum |
| title_full | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром |
| title_fullStr | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром |
| title_full_unstemmed | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром |
| title_short | Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром |
| title_sort | примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2d системах с гибридизированным спектром |
| topic | Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| topic_facet | Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174978 |
| work_keys_str_mv | AT ivanovma primesnyesostoâniâiperehodmetalldiélektrikv2dsistemahsgibridizirovannymspektrom AT loktevvm primesnyesostoâniâiperehodmetalldiélektrikv2dsistemahsgibridizirovannymspektrom AT skripnikûv primesnyesostoâniâiperehodmetalldiélektrikv2dsistemahsgibridizirovannymspektrom AT ivanovma impuritystatesandinsulatormetaltransitionin2dsystemswithhybridizedspectrum AT loktevvm impuritystatesandinsulatormetaltransitionin2dsystemswithhybridizedspectrum AT skripnikûv impuritystatesandinsulatormetaltransitionin2dsystemswithhybridizedspectrum |