About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further incre...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17499 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17499 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Fedorovich, O.A. Kruglenko, M.P. Polozov, B.P. 2011-02-26T23:08:58Z 2011-02-26T23:08:58Z 2010 About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17499 The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode. Приведены экспериментальные зависимости скорости травления монокремния от напряжений смещения на активном электроде при других неизменных условиях в разряде. При увеличении отрицательного потенциала смещения скорость травления монокремния увеличивается, достигая максимума при Uсм ≈ -(140…160) В. Дальнейшее увеличение отрицательного потенциала, независимо от метода его получения, приводит к уменьшению скорости травления монокремния. Указанный эффект может объясняться увеличением распыления активного электрода. Подача положительного потенциала приводит к осаждению полимерных пленок. Скорость травления монокремния увеличивается с увеличением положительного потенциала смещения на активном электроде. Наведено експериментальні залежності швидкості травлення монокремнію від напруги зміщення на активному електроді при інших незмінних умовах у розряді. При збільшенні негативного потенціалу зміщення швидкість травлення монокремнію збільшується, досягає максимуму при U≈ -(140…160) В. Подальше збільшення негативного потенціалу, незалежно від методу його отримання, призводить до зменшення швидкості травлення монокремнію. Зазначений ефект може пояснюватися збільшенням розпилення активного електрода. Подача позитивного потенціалу призводить до осадження полімерних плівок. Швидкість травлення монокремнію збільшується зі збільшенням позитивного потенціалу зміщення на активному електроді. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Низкотемпературная плазма и плазменные технологии About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon О влиянии энергии электронов и ионов на скорость электронно- и ионно- стимулированного плазмохимического травления кремния Про вплив енергії електронів і іонів на швидкість електронно- і іонно-стимулюванного плазмохімічного травлення кремнію Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon |
| spellingShingle |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon Fedorovich, O.A. Kruglenko, M.P. Polozov, B.P. Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| title_short |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon |
| title_full |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon |
| title_fullStr |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon |
| title_full_unstemmed |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon |
| title_sort |
about influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon |
| author |
Fedorovich, O.A. Kruglenko, M.P. Polozov, B.P. |
| author_facet |
Fedorovich, O.A. Kruglenko, M.P. Polozov, B.P. |
| topic |
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| topic_facet |
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| publishDate |
2010 |
| language |
English |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
О влиянии энергии электронов и ионов на скорость электронно- и ионно- стимулированного плазмохимического травления кремния Про вплив енергії електронів і іонів на швидкість електронно- і іонно-стимулюванного плазмохімічного травлення кремнію |
| description |
The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode.
Приведены экспериментальные зависимости скорости травления монокремния от напряжений смещения на активном электроде при других неизменных условиях в разряде. При увеличении отрицательного потенциала смещения скорость травления монокремния увеличивается, достигая максимума при Uсм ≈ -(140…160) В. Дальнейшее увеличение отрицательного потенциала, независимо от метода его получения, приводит к уменьшению скорости травления монокремния. Указанный эффект может объясняться увеличением распыления активного электрода. Подача положительного потенциала приводит к осаждению полимерных пленок. Скорость травления монокремния увеличивается с увеличением положительного потенциала смещения на активном электроде.
Наведено експериментальні залежності швидкості травлення монокремнію від напруги зміщення на активному електроді при інших незмінних умовах у розряді. При збільшенні негативного потенціалу зміщення швидкість травлення монокремнію збільшується, досягає максимуму при U≈ -(140…160) В. Подальше збільшення негативного потенціалу, незалежно від методу його отримання, призводить до зменшення швидкості травлення монокремнію. Зазначений ефект може пояснюватися збільшенням розпилення активного електрода. Подача позитивного потенціалу призводить до осадження полімерних плівок. Швидкість травлення монокремнію збільшується зі збільшенням позитивного потенціалу зміщення на активному електроді.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17499 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT fedorovichoa aboutinfluenceofenergyofelectronsandionsonspeedofelectronandionstimulatedplasmachemicaletchingofsilicon AT kruglenkomp aboutinfluenceofenergyofelectronsandionsonspeedofelectronandionstimulatedplasmachemicaletchingofsilicon AT polozovbp aboutinfluenceofenergyofelectronsandionsonspeedofelectronandionstimulatedplasmachemicaletchingofsilicon AT fedorovichoa ovliâniiénergiiélektronoviionovnaskorostʹélektronnoiionnostimulirovannogoplazmohimičeskogotravleniâkremniâ AT kruglenkomp ovliâniiénergiiélektronoviionovnaskorostʹélektronnoiionnostimulirovannogoplazmohimičeskogotravleniâkremniâ AT polozovbp ovliâniiénergiiélektronoviionovnaskorostʹélektronnoiionnostimulirovannogoplazmohimičeskogotravleniâkremniâ AT fedorovichoa provplivenergííelektronívííonívnašvidkístʹelektronnoííonnostimulûvannogoplazmohímíčnogotravlennâkremníû AT kruglenkomp provplivenergííelektronívííonívnašvidkístʹelektronnoííonnostimulûvannogoplazmohímíčnogotravlennâkremníû AT polozovbp provplivenergííelektronívííonívnašvidkístʹelektronnoííonnostimulûvannogoplazmohímíčnogotravlennâkremníû |
| first_indexed |
2025-11-24T15:20:10Z |
| last_indexed |
2025-11-24T15:20:10Z |
| _version_ |
1850847958645342209 |