Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характе...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174999 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710136347295744 |
|---|---|
| author | Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. |
| author_facet | Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. |
| citation_txt | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характеристик при различных температурах. Установлено, что низкотемпературные кинетические явления в этих объектах определяются прыжковым механизмом проводимости, при достаточно низких температурах (меньше 10К) проявляется прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Нелинейность вольт-амперных характеристик успешно описывается теорией неомической прыжковой проводимости в умеренно сильных электрических полях.
The temperature dependence of the kinetic electronic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall e.m.f.) is studied in the temperature interval 3–50 K on epitaxial silicon crystals having a δ<Sb> layer with sheet concentrations of Sb atoms 1×10¹³ and 5×10¹² cm⁻². The shape of the current–voltage characteristics is determined at various temperatures. It is found that the low-temperature kinetic phenomena in these objects are governed by the hopping mechanism of conductivity. A variable range hopping conductivity is observed at sufficiently low temperatures (<10 K). The nonlinearity of the current–voltage characteristics is explained by the theory of non-Ohmic hopping conductivity in moderately strong electric fields.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:22:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174999 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:22:16Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. 2021-01-29T11:38:43Z 2021-01-29T11:38:43Z 1998 Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.Ht https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174999 Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характеристик при различных температурах. Установлено, что низкотемпературные кинетические явления в этих объектах определяются прыжковым механизмом проводимости, при достаточно низких температурах (меньше 10К) проявляется прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Нелинейность вольт-амперных характеристик успешно описывается теорией неомической прыжковой проводимости в умеренно сильных электрических полях. The temperature dependence of the kinetic electronic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall e.m.f.) is studied in the temperature interval 3–50 K on epitaxial silicon crystals having a δ<Sb> layer with sheet concentrations of Sb atoms 1×10¹³ and 5×10¹² cm⁻². The shape of the current–voltage characteristics is determined at various temperatures. It is found that the low-temperature kinetic phenomena in these objects are governed by the hopping mechanism of conductivity. A variable range hopping conductivity is observed at sufficiently low temperatures (<10 K). The nonlinearity of the current–voltage characteristics is explained by the theory of non-Ohmic hopping conductivity in moderately strong electric fields. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты Peculiarities of electronic properties of δ<Sb> layers in epitaxial silicon. IV. Hopping conductivity and nonlinear effects Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты |
| title_alt | Peculiarities of electronic properties of δ<Sb> layers in epitaxial silicon. IV. Hopping conductivity and nonlinear effects |
| title_full | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты |
| title_fullStr | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты |
| title_full_unstemmed | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты |
| title_short | Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты |
| title_sort | особенности электронных свойств δ<sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. iv. прыжковая проводимость и нелинейные эффекты |
| topic | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174999 |
| work_keys_str_mv | AT krasovickiivitb osobennostiélektronnyhsvoistvδltsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδltsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδltsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty AT émeleusčdž osobennostiélektronnyhsvoistvδltsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty AT vollté osobennostiélektronnyhsvoistvδltsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty AT krasovickiivitb peculiaritiesofelectronicpropertiesofδltsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects AT komnikûf peculiaritiesofelectronicpropertiesofδltsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects AT mironovoa peculiaritiesofelectronicpropertiesofδltsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects AT émeleusčdž peculiaritiesofelectronicpropertiesofδltsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects AT vollté peculiaritiesofelectronicpropertiesofδltsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects |