Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты

Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты

Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характерист...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1998
Hauptverfasser: Красовицкий, Вит.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
Schlagworte:
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174999
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174999
record_format dspace
spelling Красовицкий, Вит.Б.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
2021-01-29T11:38:43Z
2021-01-29T11:38:43Z
1998
Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.20.Ht
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174999
Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характеристик при различных температурах. Установлено, что низкотемпературные кинетические явления в этих объектах определяются прыжковым механизмом проводимости, при достаточно низких температурах (меньше 10К) проявляется прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Нелинейность вольт-амперных характеристик успешно описывается теорией неомической прыжковой проводимости в умеренно сильных электрических полях.
The temperature dependence of the kinetic electronic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall e.m.f.) is studied in the temperature interval 3–50 K on epitaxial silicon crystals having a δ<Sb> layer with sheet concentrations of Sb atoms 1×10¹³ and 5×10¹² cm⁻². The shape of the current–voltage characteristics is determined at various temperatures. It is found that the low-temperature kinetic phenomena in these objects are governed by the hopping mechanism of conductivity. A variable range hopping conductivity is observed at sufficiently low temperatures (<10 K). The nonlinearity of the current–voltage characteristics is explained by the theory of non-Ohmic hopping conductivity in moderately strong electric fields.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
Peculiarities of electronic properties of δ<Sb> layers in epitaxial silicon. IV. Hopping conductivity and nonlinear effects
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
spellingShingle Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
Красовицкий, Вит.Б.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
Низкотемпеpатуpный магнетизм
title_short Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
title_full Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
title_fullStr Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
title_full_unstemmed Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
title_sort особенности электронных свойств δ<sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. iv. прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
author Красовицкий, Вит.Б.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
author_facet Красовицкий, Вит.Б.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
publishDate 1998
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Peculiarities of electronic properties of δ<Sb> layers in epitaxial silicon. IV. Hopping conductivity and nonlinear effects
description Изучены температурные зависимости (при 3-50К) электронных кинетических характеристик (проводимости, магнитосопротивления, эдс Холла) кристаллов эпитаксиального кремния, содержащих δ<Sb>-слой с поверхностной концентрацией атомов сурьмы 1*10¹³ и 5*10¹² см⁻²; изучен вид вольт-амперных характеристик при различных температурах. Установлено, что низкотемпературные кинетические явления в этих объектах определяются прыжковым механизмом проводимости, при достаточно низких температурах (меньше 10К) проявляется прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Нелинейность вольт-амперных характеристик успешно описывается теорией неомической прыжковой проводимости в умеренно сильных электрических полях. The temperature dependence of the kinetic electronic characteristics (conductivity, magnetoresistance, Hall e.m.f.) is studied in the temperature interval 3–50 K on epitaxial silicon crystals having a δ<Sb> layer with sheet concentrations of Sb atoms 1×10¹³ and 5×10¹² cm⁻². The shape of the current–voltage characteristics is determined at various temperatures. It is found that the low-temperature kinetic phenomena in these objects are governed by the hopping mechanism of conductivity. A variable range hopping conductivity is observed at sufficiently low temperatures (<10 K). The nonlinearity of the current–voltage characteristics is explained by the theory of non-Ohmic hopping conductivity in moderately strong electric fields.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174999
citation_txt Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 241-249. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT krasovickiivitb osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty
AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty
AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty
AT émeleusčdž osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty
AT vollté osobennostiélektronnyhsvoistvδsbsloevvépitaksialʹnomkremniiivpryžkovaâprovodimostʹinelineinyeéffekty
AT krasovickiivitb peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects
AT komnikûf peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects
AT mironovoa peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects
AT émeleusčdž peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects
AT vollté peculiaritiesofelectronicpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconivhoppingconductivityandnonlineareffects
first_indexed 2025-12-07T17:22:16Z
last_indexed 2025-12-07T17:22:16Z
_version_ 1850871000732794880

Ähnliche Einträge