Сверхпроводящие свойства и структура ванадия после низкотемпеpатуpной дефоpмации
Изучено влияние низкотемпературной (77K) деформации волочением (80%) на сверхпроводящие свойства и структуру ванадия. Выделены элементы структуры (границы фрагментов), ответственные за наблюдаемые изменения критических параметров. Эти области локализации ротационной деформации являются местами высок...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175002 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Сверхпроводящие свойства и структура ванадия после низкотемпеpатуpной дефоpмации / В.К. Аксенов, Н.А. Черняк, О.И. Волчок, А.В. Мац, Я.Д. Стародубов // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 266-271. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Изучено влияние низкотемпературной (77K) деформации волочением (80%) на сверхпроводящие свойства и структуру ванадия. Выделены элементы структуры (границы фрагментов), ответственные за наблюдаемые изменения критических параметров. Эти области локализации ротационной деформации являются местами высокой плотности дефектов и мощными источниками внутренних напряжений, в которых происходят наибольшие изменения константы электрон-фононного взаимодействия и длины свободного пробега электронов. Пpоведена оценка плотности дислокаций в границах фрагментов.
The effect of low temperature (77 K) deformation by drawing (80%) on the superconducting properties and structure of vanadium is studied. The structural elements (fragment boundaries) responsible for the observed changes of critical parameters are isolated. The electron-phonon coupling constant and the electron mean free path undergo most significant changes in these regions of rotational deformation localization, which have a high density of defects and are powerful sources of internal stresses. The dislocation density at the fragment boundaries is estimated.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |