Сверхпроводящие свойства и структура ванадия после низкотемпеpатуpной дефоpмации

Изучено влияние низкотемпературной (77K) деформации волочением (80%) на сверхпроводящие свойства и структуру ванадия. Выделены элементы структуры (границы фрагментов), ответственные за наблюдаемые изменения критических параметров. Эти области локализации ротационной деформации являются местами высок...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1998
Main Authors: Аксенов, В.К., Черняк, Н.А., Волчок, О.И., Мац, А.В., Стародубов, Я.Д.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175002
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Сверхпроводящие свойства и структура ванадия после низкотемпеpатуpной дефоpмации / В.К. Аксенов, Н.А. Черняк, О.И. Волчок, А.В. Мац, Я.Д. Стародубов // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 3. — С. 266-271. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Изучено влияние низкотемпературной (77K) деформации волочением (80%) на сверхпроводящие свойства и структуру ванадия. Выделены элементы структуры (границы фрагментов), ответственные за наблюдаемые изменения критических параметров. Эти области локализации ротационной деформации являются местами высокой плотности дефектов и мощными источниками внутренних напряжений, в которых происходят наибольшие изменения константы электрон-фононного взаимодействия и длины свободного пробега электронов. Пpоведена оценка плотности дислокаций в границах фрагментов. The effect of low temperature (77 K) deformation by drawing (80%) on the superconducting properties and structure of vanadium is studied. The structural elements (fragment boundaries) responsible for the observed changes of critical parameters are isolated. The electron-phonon coupling constant and the electron mean free path undergo most significant changes in these regions of rotational deformation localization, which have a high density of defects and are powerful sources of internal stresses. The dislocation density at the fragment boundaries is estimated.
ISSN:0132-6414