Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электр...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1997 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862623913402433536 |
|---|---|
| author | Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Анопченко, А.С. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. |
| author_facet | Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Анопченко, А.С. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. |
| citation_txt | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации t ер , полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью t ер ∞ Т⁻ᵖ, где p ≅ 3,7 ± 0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT- волновой вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона).
Проведено комплексне дослідження ефектів слабкої локалізації електронів, електрон-електронної взаємодії та ефекту електронного перегрівання в кристалах Si, що містять δ(SЬ)-шар з різною концентрацією атомів Sb, з метою одержання інформації про характерні часи непружної релаксації електронів. Температурна залежність часу електрон-фононної релаксації t ер , одержана з ефекту електронного перегрівання,
описується залежністю t ер ∞ Т⁻ᵖ, де p ≅ 3,7 ± 0,3, що відповідає випадку qTl < 1 (qT- хвильовий вектор теплового фонона; l - довжина вільного пробігу електрона).
Complex studies of weak electron localization, electron–electron interaction, and electron overheating in Si crystals containing a δ⟨Sb⟩-layer with various concentrations of Sb atoms are carried out in order to obtain information on the characteristic times of inelastic electron relaxation. The temperature dependence of the electron–phonon relaxation time t ер derived from the electron overheating effect can be described by the dependence t ер∝T−p, where p≅3.7±0.3, which corresponds to the case qTl<1 (qT is the wave vector of the thermal phonon and l the electron mean free path).
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:31:01Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175069 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:31:01Z |
| publishDate | 1997 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Анопченко, А.С. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. 2021-01-30T14:01:27Z 2021-01-30T14:01:27Z 1997 Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.15.Lh, 73.20.Fz, 72.15.Rn https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069 Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации t ер , полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью t ер ∞ Т⁻ᵖ, где p ≅ 3,7 ± 0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT- волновой вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона). Проведено комплексне дослідження ефектів слабкої локалізації електронів, електрон-електронної взаємодії та ефекту електронного перегрівання в кристалах Si, що містять δ(SЬ)-шар з різною концентрацією атомів Sb, з метою одержання інформації про характерні часи непружної релаксації електронів. Температурна залежність часу електрон-фононної релаксації t ер , одержана з ефекту електронного перегрівання,
 описується залежністю t ер ∞ Т⁻ᵖ, де p ≅ 3,7 ± 0,3, що відповідає випадку qTl < 1 (qT- хвильовий вектор теплового фонона; l - довжина вільного пробігу електрона). Complex studies of weak electron localization, electron–electron interaction, and electron overheating in Si crystals containing a δ⟨Sb⟩-layer with various concentrations of Sb atoms are carried out in order to obtain information on the characteristic times of inelastic electron relaxation. The temperature dependence of the electron–phonon relaxation time t ер derived from the electron overheating effect can be described by the dependence t ер∝T−p, where p≅3.7±0.3, which corresponds to the case qTl<1 (qT is the wave vector of the thermal phonon and l the electron mean free path). Настоящее исследование поддержано грантом INT AS-93-1403-ext. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация Peculiarities in the electron properties of δ⟨Sb⟩-layers in epitaxial silicon. III. Electron–phonon relaxation Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация Каширин, В.Ю. Комник, Ю.Ф. Анопченко, А.С. Миронов, О.А. Эмелеус, Ч.Дж. Волл, Т.Э. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация |
| title_alt | Peculiarities in the electron properties of δ⟨Sb⟩-layers in epitaxial silicon. III. Electron–phonon relaxation |
| title_full | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация |
| title_fullStr | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация |
| title_full_unstemmed | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация |
| title_short | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация |
| title_sort | особенности электронных свойств δ<sь>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ііі. электрон-фононная релаксация |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069 |
| work_keys_str_mv | AT kaširinvû osobennostiélektronnyhsvoistvδltsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδltsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ AT anopčenkoas osobennostiélektronnyhsvoistvδltsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδltsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ AT émeleusčdž osobennostiélektronnyhsvoistvδltsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ AT vollté osobennostiélektronnyhsvoistvδltsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ AT kaširinvû peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation AT komnikûf peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation AT anopčenkoas peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation AT mironovoa peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation AT émeleusčdž peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation AT vollté peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation |