Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация

Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация

Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1997
Автори: Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Анопченко, А.С., Миронов, О.А., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Теми:
Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175069
record_format dspace
spelling Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Анопченко, А.С.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
2021-01-30T14:01:27Z
2021-01-30T14:01:27Z
1997
Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.15.Lh, 73.20.Fz, 72.15.Rn
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069
Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации t ер , полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью t ер ∞ Т⁻ᵖ, где p ≅ 3,7 ± 0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT- волновой вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона).
Проведено комплексне дослідження ефектів слабкої локалізації електронів, електрон-електронної взає­модії та ефекту електронного перегрівання в кристалах Si, що містять δ(SЬ)-шар з різною концентрацією атомів Sb, з метою одержання інформації про характерні часи непружної релаксації електронів. Темпера­турна залежність часу електрон-фононної релаксації t ер , одержана з ефекту електронного перегрівання, описується залежністю t ер ∞ Т⁻ᵖ, де p ≅ 3,7 ± 0,3, що відповідає випадку qTl < 1 (qT- хвильовий вектор теплового фонона; l - довжина вільного пробігу електрона).
Complex studies of weak electron localization, electron–electron interaction, and electron overheating in Si crystals containing a δ⟨Sb⟩-layer with various concentrations of Sb atoms are carried out in order to obtain information on the characteristic times of inelastic electron relaxation. The temperature dependence of the electron–phonon relaxation time t ер derived from the electron overheating effect can be described by the dependence t ер∝T−p, where p≅3.7±0.3, which corresponds to the case qTl<1 (qT is the wave vector of the thermal phonon and l the electron mean free path).
Настоящее исследование поддержано грантом INT AS-93-1403-ext.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
Peculiarities in the electron properties of δ⟨Sb⟩-layers in epitaxial silicon. III. Electron–phonon relaxation
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
spellingShingle Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Анопченко, А.С.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
title_full Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
title_fullStr Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
title_full_unstemmed Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
title_sort особенности электронных свойств δ<sь>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ііі. электрон-фононная релаксация
author Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Анопченко, А.С.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
author_facet Каширин, В.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Анопченко, А.С.
Миронов, О.А.
Эмелеус, Ч.Дж.
Волл, Т.Э.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 1997
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Peculiarities in the electron properties of δ⟨Sb⟩-layers in epitaxial silicon. III. Electron–phonon relaxation
description Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации t ер , полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью t ер ∞ Т⁻ᵖ, где p ≅ 3,7 ± 0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT- волновой вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона). Проведено комплексне дослідження ефектів слабкої локалізації електронів, електрон-електронної взає­модії та ефекту електронного перегрівання в кристалах Si, що містять δ(SЬ)-шар з різною концентрацією атомів Sb, з метою одержання інформації про характерні часи непружної релаксації електронів. Темпера­турна залежність часу електрон-фононної релаксації t ер , одержана з ефекту електронного перегрівання, описується залежністю t ер ∞ Т⁻ᵖ, де p ≅ 3,7 ± 0,3, що відповідає випадку qTl < 1 (qT- хвильовий вектор теплового фонона; l - довжина вільного пробігу електрона). Complex studies of weak electron localization, electron–electron interaction, and electron overheating in Si crystals containing a δ⟨Sb⟩-layer with various concentrations of Sb atoms are carried out in order to obtain information on the characteristic times of inelastic electron relaxation. The temperature dependence of the electron–phonon relaxation time t ер derived from the electron overheating effect can be described by the dependence t ер∝T−p, where p≅3.7±0.3, which corresponds to the case qTl<1 (qT is the wave vector of the thermal phonon and l the electron mean free path).
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069
citation_txt Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kaširinvû osobennostiélektronnyhsvoistvδsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ
AT komnikûf osobennostiélektronnyhsvoistvδsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ
AT anopčenkoas osobennostiélektronnyhsvoistvδsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ
AT mironovoa osobennostiélektronnyhsvoistvδsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ
AT émeleusčdž osobennostiélektronnyhsvoistvδsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ
AT vollté osobennostiélektronnyhsvoistvδsʹsloevvépitaksialʹnomkremniiíííélektronfononnaârelaksaciâ
AT kaširinvû peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation
AT komnikûf peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation
AT anopčenkoas peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation
AT mironovoa peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation
AT émeleusčdž peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation
AT vollté peculiaritiesintheelectronpropertiesofδsblayersinepitaxialsiliconiiielectronphononrelaxation
first_indexed 2025-12-07T13:31:01Z
last_indexed 2025-12-07T13:31:01Z
_version_ 1850856452185391104

Схожі ресурси