Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электр...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1997 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |