Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1997 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175069 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |