Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1997
• Hauptverfasser: Ермаков, В.Н., Понежа, Е.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
• Schlagworte: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175072
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы / В.Н. Єрмаков, Е.А. Понежа // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 428-433. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

В приближении малопрозрачных барьеров рассмотрено туннелирование эпектронов через двухбараьер­ную систему с учетом их кулоновского взаимодействия в межбарьерном пространстве (квантовой яме). Состояние электронов в квантовой яме предполагается двукратно вырожденным. Показано, что зависимость туннельного тока от напряжения имеет ступенчатяй вид при низких температурах, а в обпасти малых напряжений имеется пороговое значение. Рассмотренная система обладает также бистабильными свойствами. В наближенні малопрозорих бар'єрів розrлинуто тунелюванни електронів крізь систему з двома бар'єрами з урахуванням кулонівської взаємодії в міжбар'єрному просторІ (квантовій ямі). Стан електронів у квантовій ямі вважається двічі виродженим. Показано, що залежність тунельного струму від напруги має сходинковий вигляд при низьких температурах, а в області малих напруг є порогове значення. Розглянута система має також бістабільні властивості. Tunneling of electrons through a double-barrier system is considered in the approximation of low-transparency barriers taking into account the Coulomb interaction of electrons in the interbarrier space (quantum well). The state of the electrons in the quantum well is supposed to be doubly degenerate. It is shown that the dependence of the tunneling current on the applied voltage has a step-like form at low temperatures and has a threshold in the low-voltage region. The system under consideration also exhibits bistability.