Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы

В приближении малопрозрачных барьеров рассмотрено туннелирование эпектронов через двухбараьер­ную систему с учетом их кулоновского взаимодействия в межбарьерном пространстве (квантовой яме). Состояние электронов в квантовой яме предполагается двукратно вырожденным. Показано, что зависимость туннельн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1997
Hauptverfasser: Ермаков, В.Н., Понежа, Е.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175072
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы / В.Н. Єрмаков, Е.А. Понежа // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 428-433. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175072
record_format dspace
spelling Ермаков, В.Н.
Понежа, Е.А.
2021-01-30T14:03:27Z
2021-01-30T14:03:27Z
1997
Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы / В.Н. Єрмаков, Е.А. Понежа // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 428-433. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.40.Gk, 73.40.Ту
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175072
В приближении малопрозрачных барьеров рассмотрено туннелирование эпектронов через двухбараьер­ную систему с учетом их кулоновского взаимодействия в межбарьерном пространстве (квантовой яме). Состояние электронов в квантовой яме предполагается двукратно вырожденным. Показано, что зависимость туннельного тока от напряжения имеет ступенчатяй вид при низких температурах, а в обпасти малых напряжений имеется пороговое значение. Рассмотренная система обладает также бистабильными свойствами.
В наближенні малопрозорих бар'єрів розrлинуто тунелюванни електронів крізь систему з двома бар'єрами з урахуванням кулонівської взаємодії в міжбар'єрному просторІ (квантовій ямі). Стан електронів у квантовій ямі вважається двічі виродженим. Показано, що залежність тунельного струму від напруги має сходинковий вигляд при низьких температурах, а в області малих напруг є порогове значення. Розглянута система має також бістабільні властивості.
Tunneling of electrons through a double-barrier system is considered in the approximation of low-transparency barriers taking into account the Coulomb interaction of electrons in the interbarrier space (quantum well). The state of the electrons in the quantum well is supposed to be doubly degenerate. It is shown that the dependence of the tunneling current on the applied voltage has a step-like form at low temperatures and has a threshold in the low-voltage region. The system under consideration also exhibits bistability.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
Nonlinear resonant tunneling through doubly degenerate state of quantum well
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
spellingShingle Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
Ермаков, В.Н.
Понежа, Е.А.
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
title_short Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
title_full Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
title_fullStr Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
title_full_unstemmed Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
title_sort нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы
author Ермаков, В.Н.
Понежа, Е.А.
author_facet Ермаков, В.Н.
Понежа, Е.А.
topic Низкоразмерные и неупорядоченные системы
topic_facet Низкоразмерные и неупорядоченные системы
publishDate 1997
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Nonlinear resonant tunneling through doubly degenerate state of quantum well
description В приближении малопрозрачных барьеров рассмотрено туннелирование эпектронов через двухбараьер­ную систему с учетом их кулоновского взаимодействия в межбарьерном пространстве (квантовой яме). Состояние электронов в квантовой яме предполагается двукратно вырожденным. Показано, что зависимость туннельного тока от напряжения имеет ступенчатяй вид при низких температурах, а в обпасти малых напряжений имеется пороговое значение. Рассмотренная система обладает также бистабильными свойствами. В наближенні малопрозорих бар'єрів розrлинуто тунелюванни електронів крізь систему з двома бар'єрами з урахуванням кулонівської взаємодії в міжбар'єрному просторІ (квантовій ямі). Стан електронів у квантовій ямі вважається двічі виродженим. Показано, що залежність тунельного струму від напруги має сходинковий вигляд при низьких температурах, а в області малих напруг є порогове значення. Розглянута система має також бістабільні властивості. Tunneling of electrons through a double-barrier system is considered in the approximation of low-transparency barriers taking into account the Coulomb interaction of electrons in the interbarrier space (quantum well). The state of the electrons in the quantum well is supposed to be doubly degenerate. It is shown that the dependence of the tunneling current on the applied voltage has a step-like form at low temperatures and has a threshold in the low-voltage region. The system under consideration also exhibits bistability.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175072
citation_txt Нелинейное резонансное туннелирование через двукратно вырожденное состояние квантовой ямы / В.Н. Єрмаков, Е.А. Понежа // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 428-433. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT ermakovvn nelineinoerezonansnoetunnelirovaniečerezdvukratnovyroždennoesostoâniekvantovoiâmy
AT ponežaea nelineinoerezonansnoetunnelirovaniečerezdvukratnovyroždennoesostoâniekvantovoiâmy
AT ermakovvn nonlinearresonanttunnelingthroughdoublydegeneratestateofquantumwell
AT ponežaea nonlinearresonanttunnelingthroughdoublydegeneratestateofquantumwell
first_indexed 2025-12-07T19:25:34Z
last_indexed 2025-12-07T19:25:34Z
_version_ 1850878758331875328