Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов

Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов

Исследована зависимость распределения интенсивности в полосах люминесценции в вакуумной ультрафиолетовой и видимой областях от температуры кристаллов неона. Измерения вьполнены методом катодолюминесцентной спектроскопии при стационарном возбуждении и дополнены наблюдениями затуха­ння люминесценции н...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1997
Автори: Белов, А.Г., Горбулин, Г.М., Фуголь, И.Я., Юртаева, Е.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Теми:
Физические свойства криокристаллов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175074
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов / А.Г. Белов, Г.М. Горбулин, И.Я. Фуголь, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 439-447. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175074
record_format dspace
spelling Белов, А.Г.
Горбулин, Г.М.
Фуголь, И.Я.
Юртаева, Е.М.
2021-01-30T14:05:00Z
2021-01-30T14:05:00Z
1997
Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов / А.Г. Белов, Г.М. Горбулин, И.Я. Фуголь, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 439-447. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 71.35.-у, 78.60.Hk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175074
Исследована зависимость распределения интенсивности в полосах люминесценции в вакуумной ультрафиолетовой и видимой областях от температуры кристаллов неона. Измерения вьполнены методом катодолюминесцентной спектроскопии при стационарном возбуждении и дополнены наблюдениями затуха­ння люминесценции на чистых кристаллах с совершенной структурой, образцах, содержащих дефекты, и в твердых растворах с электроотрицательной (кислород) и электроположительной (ксенон) примесями. Выяв­лен вклад рекомбинационноrо канала в формирование спектра автолокализованных состояний в твердом неоне. Показано, что этот канал является определяющим для заселення 3р(3р') излучающих центров и дает сравнительно слабый вклад в заселение нижайших Зs(Зs') - возбуждений. Эффективность рекомбинационного канала существенно зависит от температуры, резко возрастая при ее повышении. Анализ экспериментальных данных позволил сделать заключение о возможности самозахвата электронов в криокристаллах неона с образованием мелких автолокализованных состояний.
Досліджено залежність розподілу інтенсивності у смугах люмінесценції в вакуумній ультрафіолетовій та видимій областях від температури кристалів неону. Виміри виконано засобом катодолюмінесцентної спектроскопії при стаціонарному збудженні та доповнено спостереженнями загасання люмінесценції на чис­тих кристалах з досконалою структурою, у зразках, що містять дефекти, та у твердих розчинах з електронеrативними (кисень) та електропозитивними (ксенон) домішками. Виявлено вклад рекомбінацій­ноrо каналу у формування спектра автолокалізованих станів в твердому неоні. Показано, що цей канал є визначним для заселення 3р(3р') випромінюючих центрів і дає порівняно слабкий вклад у заселення найниж­чих 3s(Зs')-збуджень. Ефективність рекомбінаційноrо каналу істотно залежить від температури, різко зрос­таючи при її підвищенні. Аналіз експериментальних результатів дозволив зробити висновок про можливість самозахоплення електронів у кріокристалах неону з утворенням дрібних автолокалізованих станів.
The relation between the temperature and the intensity distribution in luminescence bands in VUV and VIS spectral regions of Ne crystals is investigated. The measurements are made by using cathodoluminescent spectroscopy with steady-state excitation and are supplemented by observations of luminescence decay in perfect pure crystals, in samples with defects, and in solid solutions with electronegative (oxygen) and electropositive (xenon) impurities. The contribution of the recombination channel to the formation of the spectrum of self-trapped states in solid neon is determined. It is shown that this channel plays a decisive role in the population of 3p(3p') luminescence centers and makes a relatively small contribution to the population of the lowermost 3s(3s') excitations. The recombination channel efficiency strongly depends on temperature, increasing abruptly with the temperature value. An analysis of experimental data leads to the conclusion on the possibility of electron self-trapping in Ne cryocrystals, followed by the formation of shallow self-trapped states.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Физические свойства криокристаллов
Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
Relaxation and recombination channels of formation of luminescent states in a neon crystal: Evidence of electron self-trapping
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
spellingShingle Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
Белов, А.Г.
Горбулин, Г.М.
Фуголь, И.Я.
Юртаева, Е.М.
Физические свойства криокристаллов
title_short Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
title_full Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
title_fullStr Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
title_full_unstemmed Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
title_sort релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов
author Белов, А.Г.
Горбулин, Г.М.
Фуголь, И.Я.
Юртаева, Е.М.
author_facet Белов, А.Г.
Горбулин, Г.М.
Фуголь, И.Я.
Юртаева, Е.М.
topic Физические свойства криокристаллов
topic_facet Физические свойства криокристаллов
publishDate 1997
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Relaxation and recombination channels of formation of luminescent states in a neon crystal: Evidence of electron self-trapping
description Исследована зависимость распределения интенсивности в полосах люминесценции в вакуумной ультрафиолетовой и видимой областях от температуры кристаллов неона. Измерения вьполнены методом катодолюминесцентной спектроскопии при стационарном возбуждении и дополнены наблюдениями затуха­ння люминесценции на чистых кристаллах с совершенной структурой, образцах, содержащих дефекты, и в твердых растворах с электроотрицательной (кислород) и электроположительной (ксенон) примесями. Выяв­лен вклад рекомбинационноrо канала в формирование спектра автолокализованных состояний в твердом неоне. Показано, что этот канал является определяющим для заселення 3р(3р') излучающих центров и дает сравнительно слабый вклад в заселение нижайших Зs(Зs') - возбуждений. Эффективность рекомбинационного канала существенно зависит от температуры, резко возрастая при ее повышении. Анализ экспериментальных данных позволил сделать заключение о возможности самозахвата электронов в криокристаллах неона с образованием мелких автолокализованных состояний. Досліджено залежність розподілу інтенсивності у смугах люмінесценції в вакуумній ультрафіолетовій та видимій областях від температури кристалів неону. Виміри виконано засобом катодолюмінесцентної спектроскопії при стаціонарному збудженні та доповнено спостереженнями загасання люмінесценції на чис­тих кристалах з досконалою структурою, у зразках, що містять дефекти, та у твердих розчинах з електронеrативними (кисень) та електропозитивними (ксенон) домішками. Виявлено вклад рекомбінацій­ноrо каналу у формування спектра автолокалізованих станів в твердому неоні. Показано, що цей канал є визначним для заселення 3р(3р') випромінюючих центрів і дає порівняно слабкий вклад у заселення найниж­чих 3s(Зs')-збуджень. Ефективність рекомбінаційноrо каналу істотно залежить від температури, різко зрос­таючи при її підвищенні. Аналіз експериментальних результатів дозволив зробити висновок про можливість самозахоплення електронів у кріокристалах неону з утворенням дрібних автолокалізованих станів. The relation between the temperature and the intensity distribution in luminescence bands in VUV and VIS spectral regions of Ne crystals is investigated. The measurements are made by using cathodoluminescent spectroscopy with steady-state excitation and are supplemented by observations of luminescence decay in perfect pure crystals, in samples with defects, and in solid solutions with electronegative (oxygen) and electropositive (xenon) impurities. The contribution of the recombination channel to the formation of the spectrum of self-trapped states in solid neon is determined. It is shown that this channel plays a decisive role in the population of 3p(3p') luminescence centers and makes a relatively small contribution to the population of the lowermost 3s(3s') excitations. The recombination channel efficiency strongly depends on temperature, increasing abruptly with the temperature value. An analysis of experimental data leads to the conclusion on the possibility of electron self-trapping in Ne cryocrystals, followed by the formation of shallow self-trapped states.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175074
fulltext
citation_txt Релаксационный и рекомбинационный каналы формирования излучающих состояний в кристаллическом неоне; свидетельства автолокализации электронов / А.Г. Белов, Г.М. Горбулин, И.Я. Фуголь, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 439-447. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT belovag relaksacionnyiirekombinacionnyikanalyformirovaniâizlučaûŝihsostoâniivkristalličeskomneonesvidetelʹstvaavtolokalizaciiélektronov
AT gorbulingm relaksacionnyiirekombinacionnyikanalyformirovaniâizlučaûŝihsostoâniivkristalličeskomneonesvidetelʹstvaavtolokalizaciiélektronov
AT fugolʹiâ relaksacionnyiirekombinacionnyikanalyformirovaniâizlučaûŝihsostoâniivkristalličeskomneonesvidetelʹstvaavtolokalizaciiélektronov
AT ûrtaevaem relaksacionnyiirekombinacionnyikanalyformirovaniâizlučaûŝihsostoâniivkristalličeskomneonesvidetelʹstvaavtolokalizaciiélektronov
AT belovag relaxationandrecombinationchannelsofformationofluminescentstatesinaneoncrystalevidenceofelectronselftrapping
AT gorbulingm relaxationandrecombinationchannelsofformationofluminescentstatesinaneoncrystalevidenceofelectronselftrapping
AT fugolʹiâ relaxationandrecombinationchannelsofformationofluminescentstatesinaneoncrystalevidenceofelectronselftrapping
AT ûrtaevaem relaxationandrecombinationchannelsofformationofluminescentstatesinaneoncrystalevidenceofelectronselftrapping
first_indexed 2025-11-26T23:03:36Z
last_indexed 2025-11-26T23:03:36Z
_version_ 1850779546546077696

Схожі ресурси