Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃
Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175100 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175100 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. 2021-01-30T15:30:34Z 2021-01-30T15:30:34Z 1996 Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175100 Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth срыва ВЗП и увеличению энергии пиннинга εg . Проведено сравнение с существующими моделями туннелирования ВЗП. Експериментально досліджено вплив одновісного стиснення вздовж кристалографічної осі а на ВАХ монокристалів NbSе₃ у стані хвиль зарядової густини (ХЗГ) в області температур виникнення другого фазового переходу при 59 К. Показано, що збільшення тиску призводить до зростання порогових полів Eth зриву ХЗГ та збільшення енергії піннінга εg. Проведено порівняння з існуючими моделями тунелювання ХЗГ. The influence of uniaxial pressure along the crystallographic axis а on l-V characteristics of NbSе₃ single crystals at CDW state has been studied experimentally over the temperature region wherein the second phase transition takes place at 59 К. It is shown that the increasing pressure causes the growth of the threshold fields Eth and pinning energy εg. Comparison between the results obtained and existing CDW tunneling models is made. Эта работа была частично поддержана Международной соросовской программой поддержки образования в области точных наук (ISSEP), грант N SPU062041. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкоразмерные и неупорядоченные системы Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ Pinning of charge density waves in NbSe₃ single crystals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| spellingShingle |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| title_short |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_full |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_fullStr |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_full_unstemmed |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_sort |
пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах nbse₃ |
| author |
Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. |
| author_facet |
Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. |
| topic |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| topic_facet |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| publishDate |
1996 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Pinning of charge density waves in NbSe₃ single crystals |
| description |
Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth срыва ВЗП и увеличению энергии пиннинга εg . Проведено сравнение с существующими моделями туннелирования ВЗП.
Експериментально досліджено вплив одновісного стиснення вздовж кристалографічної осі а на ВАХ монокристалів NbSе₃ у стані хвиль зарядової густини (ХЗГ) в області температур виникнення другого фазового переходу при 59 К. Показано, що збільшення тиску призводить до зростання порогових полів Eth зриву ХЗГ та збільшення енергії піннінга εg. Проведено порівняння з існуючими моделями тунелювання ХЗГ.
The influence of uniaxial pressure along the crystallographic axis а on l-V characteristics of NbSе₃ single crystals at CDW state has been studied experimentally over the temperature region wherein the second phase transition takes place at 59 К. It is shown that the increasing pressure causes the growth of the threshold fields Eth and pinning energy εg. Comparison between the results obtained and existing CDW tunneling models is made.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175100 |
| citation_txt |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT čaškahb pinningvolnzarâdovoiplotnostivmonokristallahnbse3 AT obolenskiima pinningvolnzarâdovoiplotnostivmonokristallahnbse3 AT byčkova pinningvolnzarâdovoiplotnostivmonokristallahnbse3 AT beleckiivi pinningvolnzarâdovoiplotnostivmonokristallahnbse3 AT čaškahb pinningofchargedensitywavesinnbse3singlecrystals AT obolenskiima pinningofchargedensitywavesinnbse3singlecrystals AT byčkova pinningofchargedensitywavesinnbse3singlecrystals AT beleckiivi pinningofchargedensitywavesinnbse3singlecrystals |
| first_indexed |
2025-12-07T18:11:11Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:11:11Z |
| _version_ |
1850874078469029888 |