Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1996
• Автори: Чашка, Х.Б., Оболенский, М.А., Бычко, В.А., Белецкий, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Теми: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175100
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth...