Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1996
• Hauptverfasser: Савченко, Е.В., Огурцов, А.Н., Григоращенко, О.Н., Губин, С.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Schlagworte: Низкотемпературная физика пластичности и прочности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175102
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне / Е.В. Савченко, А.Н. Огурцов, О.Н. Григоращенко, С.А. Губин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1210-1215. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Представлены результаты первого спектроскопического наблюдения дефектообразования в твердом аргоне, индуцированного возбуждением электронной подсистемы. Получены доказательства образования заряженных и нейтральных дефектов. Использована комбинация методов люминесцентной и термоактивационной спектроскопии. Подано результати першого спектроскопічного спостереження дефектоутворення у твердому аргоні, індукованого збудженням електронної підсистеми. Одержано докази утворення заряджених і нейтральних дефектів. Застосовано комбінацію методів люмінесцентної і термоактиваційної спектроскопії. The first spectroscopic data on defect formation induced by excitation of electronic subsystem are presented. Evidence of charged and neutral defect formation is obtained. Combination of luminescence and thermoactivation spectroscopy methods is used.