Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1996
• Автори: Савченко, Е.В., Огурцов, А.Н., Григоращенко, О.Н., Губин, С.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Теми: Низкотемпературная физика пластичности и прочности
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175102
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне / Е.В. Савченко, А.Н. Огурцов, О.Н. Григоращенко, С.А. Губин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1210-1215. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Представлены результаты первого спектроскопического наблюдения дефектообразования в твердом аргоне, индуцированного возбуждением электронной подсистемы. Получены доказательства образования заряженных и нейтральных дефектов. Использована комбинация методов люминесцентной и термоактивационной спектроскопии. Подано результати першого спектроскопічного спостереження дефектоутворення у твердому аргоні, індукованого збудженням електронної підсистеми. Одержано докази утворення заряджених і нейтральних дефектів. Застосовано комбінацію методів люмінесцентної і термоактиваційної спектроскопії. The first spectroscopic data on defect formation induced by excitation of electronic subsystem are presented. Evidence of charged and neutral defect formation is obtained. Combination of luminescence and thermoactivation spectroscopy methods is used.