Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне

Представлены результаты первого спектроскопического наблюдения дефектообразования в твердом аргоне, индуцированного возбуждением электронной подсистемы. Получены доказательства образования заряженных и нейтральных дефектов. Использована комбинация методов люминесцентной и термоактивационной спектрос...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Савченко, Е.В., Огурцов, А.Н., Григоращенко, О.Н., Губин, С.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175102
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне / Е.В. Савченко, А.Н. Огурцов, О.Н. Григоращенко, С.А. Губин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1210-1215. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862731327498878976
author Савченко, Е.В.
Огурцов, А.Н.
Григоращенко, О.Н.
Губин, С.А.
author_facet Савченко, Е.В.
Огурцов, А.Н.
Григоращенко, О.Н.
Губин, С.А.
citation_txt Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне / Е.В. Савченко, А.Н. Огурцов, О.Н. Григоращенко, С.А. Губин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1210-1215. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Представлены результаты первого спектроскопического наблюдения дефектообразования в твердом аргоне, индуцированного возбуждением электронной подсистемы. Получены доказательства образования заряженных и нейтральных дефектов. Использована комбинация методов люминесцентной и термоактивационной спектроскопии. Подано результати першого спектроскопічного спостереження дефектоутворення у твердому аргоні, індукованого збудженням електронної підсистеми. Одержано докази утворення заряджених і нейтральних дефектів. Застосовано комбінацію методів люмінесцентної і термоактиваційної спектроскопії. The first spectroscopic data on defect formation induced by excitation of electronic subsystem are presented. Evidence of charged and neutral defect formation is obtained. Combination of luminescence and thermoactivation spectroscopy methods is used.
first_indexed 2025-12-07T19:25:34Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175102
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:25:34Z
publishDate 1996
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Савченко, Е.В.
Огурцов, А.Н.
Григоращенко, О.Н.
Губин, С.А.
2021-01-30T15:33:40Z
2021-01-30T15:33:40Z
1996
Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне / Е.В. Савченко, А.Н. Огурцов, О.Н. Григоращенко, С.А. Губин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1210-1215. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 71.55 Ht; 61.80.Fe; 71.35.-y
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175102
Представлены результаты первого спектроскопического наблюдения дефектообразования в твердом аргоне, индуцированного возбуждением электронной подсистемы. Получены доказательства образования заряженных и нейтральных дефектов. Использована комбинация методов люминесцентной и термоактивационной спектроскопии.
Подано результати першого спектроскопічного спостереження дефектоутворення у твердому аргоні, індукованого збудженням електронної підсистеми. Одержано докази утворення заряджених і нейтральних дефектів. Застосовано комбінацію методів люмінесцентної і термоактиваційної спектроскопії.
The first spectroscopic data on defect formation induced by excitation of electronic subsystem are presented. Evidence of charged and neutral defect formation is obtained. Combination of luminescence and thermoactivation spectroscopy methods is used.
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Международного научного фонда (грант U29200).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпературная физика пластичности и прочности
Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
Defect formation induced by excitation of electronic subsystem in solid Ar
Article
published earlier
spellingShingle Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
Савченко, Е.В.
Огурцов, А.Н.
Григоращенко, О.Н.
Губин, С.А.
Низкотемпературная физика пластичности и прочности
title Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
title_alt Defect formation induced by excitation of electronic subsystem in solid Ar
title_full Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
title_fullStr Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
title_full_unstemmed Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
title_short Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
title_sort дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
topic Низкотемпературная физика пластичности и прочности
topic_facet Низкотемпературная физика пластичности и прочности
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175102
work_keys_str_mv AT savčenkoev defektoobrazovanieinducirovannoeélektronnymiperehodamivtverdomargone
AT ogurcovan defektoobrazovanieinducirovannoeélektronnymiperehodamivtverdomargone
AT grigoraŝenkoon defektoobrazovanieinducirovannoeélektronnymiperehodamivtverdomargone
AT gubinsa defektoobrazovanieinducirovannoeélektronnymiperehodamivtverdomargone
AT savčenkoev defectformationinducedbyexcitationofelectronicsubsysteminsolidar
AT ogurcovan defectformationinducedbyexcitationofelectronicsubsysteminsolidar
AT grigoraŝenkoon defectformationinducedbyexcitationofelectronicsubsysteminsolidar
AT gubinsa defectformationinducedbyexcitationofelectronicsubsysteminsolidar