Зображення обкладинки

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах

При возбуждении долгоживущих триплетных циклотронных магнитоэкситонов в холловском изоляторе с высокой подвижностью электронов, фактором заполнения ν = 2 и температурах Т < 1 К обнаружено принципиально новое коллективное состояние — магнетофермионный конденсат. Конденсированная фаза взаимодейству...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2017
Автори:	Кулик, Л.В., Горбунов, А.В., Журавлев, А.С., Тимофеев, В.Б., Кукушкин, И.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Теми:	Low dimensionality and inhomogeneity effects in quantum matter
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175122
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах / Л.В. Кулик, А.В. Горбунов, А.С. Журавлев, В.Б. Тимофеев, И.В. Кукушкин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 8. — С. 1166-1173. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Пьезоотклик в SmFe₃(BO₃)₄ в непьезоактивной конфигурации. Поверхностный пьезоэффект
за авторством: Колодяжная, М.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Photo-spintronics of spin-orbit active electric weak links
за авторством: Shekhter, R.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Electric and magnetic properties of titanium-cobalt-oxide single crystals produced by floating zone melting with light heating
за авторством: Balbashov, A.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of doping and annealing on crystal structure and magnetic properties of La₁–xAgxMnO₃ magnetic nanoparticles
за авторством: Zentková, M., та інші
Опубліковано: (2017)

Generic features of the primary relaxation in glass-forming materials (Review Article)
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2017)

Giant oscillations of the current in a dirty 2D electron system flowing perpendicular to a lateral barrier under magnetic field
за авторством: Kadigrobov, A.M.
Опубліковано: (2017)

Synthesis, crystal structure, electric and magnetic properties of new UNiSi₂ splat
за авторством: Molčanová, Z., та інші
Опубліковано: (2017)

Magnetic anisotropy in Fe phthalocyanine film deposited on Si(110) substrate: standing configuration
за авторством: Bartolomé, J., та інші
Опубліковано: (2017)

Магнитное упорядочение анизотропных магнетиков вследствие поворота магнитного поля
за авторством: Звягин, А.А.
Опубліковано: (2017)

Single crystals growth of hexaferrits M-type MTixCoxFe₁₂–₂xO₁₉ (M = Ba, Sr) by floating zone and investigation of their magnetic and magnetoelectric properties
за авторством: Balbashov, A.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Classical and exotic magnetism: recent advances and perspectives
за авторством: Kivshar, Y., та інші
Опубліковано: (2017)

Magnetic phenomena in Co-containing layered double hydroxides
за авторством: Vieira, D.E.L., та інші
Опубліковано: (2017)

Inhomogeneous broadening of the conductance histograms for molecular junctions
за авторством: Bopp, J.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Observation of new magnetic ground state in frustrated quantum antiferromagnet spin-liquid system Cs₂CuCl₄
за авторством: Hyeong-Jin Kim, та інші
Опубліковано: (2017)

Antiferromagnet-ferromagnet transition in La₁–xSrxMn₀.₅Ni₀.₅O₃ (0 ≤ x ≤ 0.2) ceramics
за авторством: Troyanchuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2017)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)