Низкотемпературное электросопротивление зинеровских ферромагнетиков

Исследовано низкотемпературное электросопротивление зинеровских ферромагнетиков rho (T), обусловленное взаимодействием проводящей и магнитной подсистем. Эффективный гамильтониан получен с использованием для операторов Хаббарда представления через локализованные псевдоспины и бесспиновые фермионы. Ра...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1998
Автори: Криворучко, В.Н., Яковенко, А.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175131
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Низкотемпературное электросопротивление зинеровских ферромагнетиков / В.Н. Криворучко, А.М. Яковенко // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 4. — С. 330-336. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследовано низкотемпературное электросопротивление зинеровских ферромагнетиков rho (T), обусловленное взаимодействием проводящей и магнитной подсистем. Эффективный гамильтониан получен с использованием для операторов Хаббарда представления через локализованные псевдоспины и бесспиновые фермионы. Рассмотрен вклад в rho(T) процессов рассеяния носителей заряда на спиновых волнах и магнитных неоднородностях. Последние моделировались векторным полем со случайной ориентацией направления и положения рассеивающего центра. Найденная зависимость rho(T) = rho₀ + rho₁T³/²+ rho₂T⁵/² сравнивается с существующими экспериментальными и теоретическими результатами. Low-temperature resistivity ρ(T) of Zener ferromagnets due to the interaction between the conducting and magnetic subsystem is studied. The effective Hamiltonian is obtained by using the representation of Hubbard’s operators in terms of local pseudospins and spinless fermions. The contribution to ρ(T) from scattering of charge carriers by spin waves and magnetic inhomogeneities is considered. The latter are simulated by a vector field with random orientation and location of scattering center. The obtained dependence ρ(T)=ρ₀+ρ₁T³/²+ρ₂T⁵/² is compared with the available experimental and theoretical results.
ISSN:0132-6414