Новые каналы релаксации фотонного эха в кристаллах Y₂SiO₅: Pr³⁺ и LaF₃: Pr³⁺

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1997
• Main Author: Малюкин, Ю.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
• Subjects: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175162
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Новые каналы релаксации фотонного эха в кристаллах Y₂SiO₅: Pr³⁺ и LaF₃: Pr³⁺ / Ю.В. Малюкин // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 9. — С. 993-998. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментального исследования низкотемпературных оптических спектров поглощения и температурной зависимости амплитуды сигнала фотонного эха на резонансном оптическом переходе ³Н₄(0)-³Р₀ иона празеодима в кристаллах Y₂SiO₅ : Рг³⁺ и LaF₃ : Рг³⁺. Установлено, что, кроме известного фононного механизма, существуют дополнительные каналы релаксации фотонного эха. В кристалле LaF3 : Р³⁺ это связано с температурным изменением дипольного момента на резонансном переходе иона празеодима, а в кристалле Y₂SiO₅ : Рг³⁺ - с наличием термоактивированных переходов иона празеодима между неэквивалентными положениями в кристаллической решетке. Подано результати експериментального дослідження низькотемпературних оптичних спектрів поглинання і температурної залежності амплітуди сигналу фотонної луни на резонансному оптичному переході ³Н₄(0)-³Р₀ іона празеодиму в кристалах Y₂SiO₅ : Рг³⁺ і LaF₃ : Рг³⁺. Встановлено, що, крім відомого фононного механізму, є додаткові канали релаксації фотонної луни. В кристалі LaF3 : Р³⁺ це пов’язано з температурною зміною дипольного моменту на резонансному переході іона празеодиму, а в кристалі Y₂SiO₅ : Рг³⁺ — з наявністю термоактивованих переходів іона празеодиму між нееквівалентними позиціями в кристалічній гратці. The experimental results on low-temperature absorption spectra and temperature dependence ot the photon echo (PE) signal amplitude in Y₂SiO₅ : Рг³⁺ and LaF₃ : Рг³⁺ crystals at the transition ³Н₄(0)-³Р₀ of a Рг³⁺ ion are presented. It is found that in addition to the well-known phonon mechanism, there are some other channels of PE relaxation. In LaF3 : Р³⁺ crystals this is due to temperature dependence of the dipole moment under resonance transition of a Р³⁺ ion, while in Y₂SiO₅ : Рг³⁺ due to thermally activated transitions of a Рг³⁺ ion between nonequivalent positions in the crystal lattice.