Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не

• Datum: 1995
• 1. Verfasser: Цымбаленко, В.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175164
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 2. — С. 162-172. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Изучен рост свободного кристалла ⁴Не в температурном интервале от 0,5 до 1,5 К и отклонениях от давления фазового равновесия до 1 000 дин/см². Разработан метод выращивания кристаллов гелия с минимальным количеством дефектов. Анизотропия кинетического коэффициента роста кристалла измерена непосредственно по форме кристалла. Ниже обоих переходов огранения кристалл рос, сохраняя свою форму, что означает пропорциональность скоростей роста для свободных граней всех ориентаций. Это свидетельствует об общности механизмов роста базисной и боковых граней. Скорости роста эквивалентных граней при одинаковых условиях тем не менее отличались приблизительно в два раза, на их величины оказывала влияние деформация, что дало основание сделать вывод о существенном влиянии дефектов поверхности на рост кристалла. На зависимости скорости роста от пересыщения наблюдался порог. Результаты качественно объяснены в рамках модели послойного роста кристалла, в которой образование нового слоя контролируется источниками Франка—Рида и поверхностными дефектами.