Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не
Изучен рост свободного кристалла ⁴Не в температурном интервале от 0,5 до 1,5 К и отклонениях от давления фазового равновесия до 1 000 дин/см². Разработан метод выращивания кристаллов гелия с минимальным количеством дефектов. Анизотропия кинетического коэффициента роста кристалла измерена непосредств...
Saved in:
| Date: | 1995 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Series: | Физика низких температур |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175164 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 2. — С. 162-172. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |