Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах

Проведены систематические исследования скачков тока (напряжения) и гистерезисных особенностей на ВАХ различных типов контактов с ВІ-ВТСП материалами. Измерения выполнены в большом интервале температур (1,6-200 К) и в широком частотном диапазоне ВЧ облучения (0-80 ГГц). Полученные результаты объясняю...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1995
Hauptverfasser: Кулик, И.И., Балкашин, О.П.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175168
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах / И.И. Кулик, О.П. Балкашин // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 2. — С. 193-199. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Проведены систематические исследования скачков тока (напряжения) и гистерезисных особенностей на ВАХ различных типов контактов с ВІ-ВТСП материалами. Измерения выполнены в большом интервале температур (1,6-200 К) и в широком частотном диапазоне ВЧ облучения (0-80 ГГц). Полученные результаты объясняются в рамках тепловой модели. Проведено систематичні дослідження стрибків струму (напруги) та гістерезісних особливостей ВАХ різних типів контактів з ВІ-ВТНП матеріалами. Вимірювання виконано у великому інтервалі температур (1,6—200 К) та в широкому частотному диапазоні ВЧ опромінювання (0-80 ГГц). Одержані результати пояснюються в рамках теплової моделі. Systematic investigations of current (voltage) jumps and hysteresis singularities in the I- V curves of different Bi-based HTSC contacts were performed. The measurements were made in a wide temperature interval (1,6 - 200 K) at rf radiation frequency ranged from 0 to 80 GHz. The obtained results were explained in the framework of the heating model.
ISSN:0132-6414