Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах
Проведены систематические исследования скачков тока (напряжения) и гистерезисных особенностей на ВАХ различных типов контактов с ВІ-ВТСП материалами. Измерения выполнены в большом интервале температур (1,6-200 К) и в широком частотном диапазоне ВЧ облучения (0-80 ГГц). Полученные результаты объясняю...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1995 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175168 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах / И.И. Кулик, О.П. Балкашин // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 2. — С. 193-199. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Проведены систематические исследования скачков тока (напряжения) и гистерезисных особенностей на ВАХ различных типов контактов с ВІ-ВТСП материалами. Измерения выполнены в большом интервале температур (1,6-200 К) и в широком частотном диапазоне ВЧ облучения (0-80 ГГц). Полученные результаты объясняются в рамках тепловой модели.
Проведено систематичні дослідження стрибків струму (напруги) та гістерезісних особливостей ВАХ різних типів контактів з ВІ-ВТНП матеріалами. Вимірювання виконано у великому інтервалі температур (1,6—200 К) та в широкому частотному диапазоні ВЧ опромінювання (0-80 ГГц). Одержані результати пояснюються в рамках теплової моделі.
Systematic investigations of current (voltage) jumps and hysteresis singularities in the I- V curves of different Bi-based HTSC contacts were performed. The measurements were made in a wide temperature interval (1,6 - 200 K) at rf radiation frequency ranged from 0 to 80 GHz. The obtained results were explained in the framework of the heating model.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |