Квадратичная температурная зависимость электросопротивления в нормальном состоянии в пленках Nd₂₋xCexCuO₄₋d и магнитное рассеяние носителей - Бабушкина, Н.А.; Белова, Л.М.; Жернов, А.П.; Трубицын, В.И.; Иванов, А.А.; Чуркин, О.А. (Физика низких температур, 1996)
Исследована температурная зависимость электросопротивления p(T) в нормальном состоянии для электронных сверхпроводников Nd₂₋xCexCuO₄₋δ в интервале концентраций церия x = 0,12-0,20. Для всех исследованных образцов зависимость р(Т) имеет вид р(Т) = р₀ + AT². С увеличением содержания церия величина квадратичного члена р(Т) и значения остаточного сопротивления уменьшаются. Поведение р(Т) качественно объясняется магнитным рассеянием носителей на спиновых корреляциях. Досліджено температурну залежність електроопору р(Т) у нормальному стані для електронних надпровідників Nd₂₋xCexCuO₄₋δ в інтервалі концентрацій церія х = 0,12-0,20. Для усіх досліджених зразків залежність Р(Т) має вигляд р(Т) = р₀ + AT². Із збільшенням концентрації церія величина квадратичного члена р(Т) и значення залишкового опору зменшуються. Поведінка р(Т) якісно з'ясується магнітним розсіянням носіїв на спінових кореляціях. Temperature dependence of resistivity p(T) in normal state was btudied for electron superconductors Nd₂₋xCexCuO₄₋δ in the cerium concentration range x = 0,12-0,20. For each of the investigated samples the p(Т) dependence is of the form: р(Т) = р₀ + AT². With increasing the cerium content the contribution of the quadratic term in p(T) and the values of residual resistivity р₀ decrease. The behavior of p(T) is qualitatively explained by the magneilc scattering of саrries by spin correlations, which is responsible for the quadratic dependence of p(T).