Природа магнитного состояния слабо анионизбыточного манганита LaMnO₃+δ
Работа посвящена выяснению природы магнитного состояния слабо анионизбыточного манганита лантана LaMnO₃₊δ (δ ≈ 0,0375). Подробно изучены особенности температурных и полевых зависимостей магнитного момента монокристаллического образца в области температур 2–350 К и в различных магнитных полях до 5...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175322 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Природа магнитного состояния слабо анионизбыточного манганита LaMnO₃+δ / В.А. Пащенко, И.К. Галетич, В.А. Сиренко, В.В. Еременко, А.В. Еременко, В.В. Брук // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 11. — С. 1634-1641. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Работа посвящена выяснению природы магнитного состояния слабо анионизбыточного манганита
лантана LaMnO₃₊δ (δ ≈ 0,0375). Подробно изучены особенности температурных и полевых зависимостей
магнитного момента монокристаллического образца в области температур 2–350 К и в различных магнитных полях до 5 Тл вдоль с-оси кристалла. Восстановлена полевая зависимость обнаруженных особых
температурных точек, таких как температура магнитного упорядочения, магнитного стеклования, расщепления магнитных фаз. Обнаружена взаимосвязь в поведении ряда особых точек от магнитного поля.
Полученные результаты полностью согласуются с модельными представлениями магнитного фазового
расслоения, что предсказывают образование автолокализованных состояний типа наноразмерных ферромагнитных капель в объемной антиферромагнитной матрице. |
|---|