Состояние иона празеодима в системе YBaCuO

Предполагается, что ион празеодима в YBaCuO находится в состоянии смешанной валентности (4f² ↔ 4f¹) с периодом меньше 10⁻¹³ с. С тем же периодом 4f-конфигурация участвует в образовании химической связи празеодима и кислорода, что приводит к локализации свободных носителей (дырок) и к подавлению свер...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1996
Main Authors: Волошин, В.А., Бабенко, В.В., Бутько, В.Г., Резник, И.М., Фоскарино, Е.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175324
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Состояние иона празеодима в системе YBaCuO / В.А. Волошин, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Е.В. Фоскарино // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 11. — С. 1352-1355. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Предполагается, что ион празеодима в YBaCuO находится в состоянии смешанной валентности (4f² ↔ 4f¹) с периодом меньше 10⁻¹³ с. С тем же периодом 4f-конфигурация участвует в образовании химической связи празеодима и кислорода, что приводит к локализации свободных носителей (дырок) и к подавлению сверхпроводимости. Припускається, що іон празеодиму в YBaCuO знаходиться у стані змішаної валентності (4f² ↔ 4f¹) з періодом менш ніж 10⁻¹³ с. З тим же періодом 4f-конфігурація приймає участь у формуванні хімічного зв'язку празеодиму та кисню, що веде до локалізації вільних носіїв (дірок) та пригнічення надпровідності. It is suggested that a Pr ion YBaCuO is in a mixed valency state (4f² ↔ 4f¹) with a period of less than 10⁻¹³ s, The 4f-configumtion is involved in the formation of a Pr-O chemical bond with the same time scale. This results in a localization of free carriers (holes) and in a suppresion of superconductivity.
ISSN:0132-6414