Ядерный магнитный резонанс ядер ⁶⁹Ga, ⁷¹Ga в галлий-замещенном борате железа
Методом ядерного магнитного резонанса ядер ⁶⁹Ga, ⁷¹Ga при температуре 4,2 К изучены электронно ядерные взаимодействия в галлий-замещенном борате железа. Впервые получены значения косвенных сверхтонких полей на ядрах галлия в указанном соединении. Проведено сравнение полученных результ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1995 |
| Автори: | Дорошев, В.Д., Кольцов, М.А., Москвин, А.С., Селезнев, В.И., Соловьев, Е.Е. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175380 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ядерный магнитный резонанс ядер ⁶⁹Ga, ⁷¹Ga в галлий-замещенном борате железа / В.Д. Дорошев, М.А. Кольцов, А.С. Москвин, В.И. Селезнев, Е.Е. Соловьев // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 675-677. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Магнитный резонанс ядер ³He в пористых средах
за авторством: Клочков, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Клочков, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Электромагнитное возбуждение звука в борате железа
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)
Ядерный магнитоакустический резонанс в тонкой пленке легкоплоскостного антиферромагнетика
за авторством: Тарасенко, С.В.
Опубліковано: (1995)
за авторством: Тарасенко, С.В.
Опубліковано: (1995)
Оcобенности распространения продольного звука в борате железа. Азимутальные зависимости
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)
Магнитный резонанс и спин-переориентационные переходы в мультиферроике Nd₀,₇₅Ho₀,₂₅Fe₃(BO₃)₄
за авторством: Кобец, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кобец, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)
Магнитный резонанс и осцилляции магнитной анизотропии в сверхрешетках Co/Cu (111)
за авторством: Каплиенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Каплиенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Акустический магнитный резонанс в поглощении и дисперсии поверхностных упругих волн в многослойных пленках
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (1999)
Военно-ядерный тупик: украинский вариант
за авторством: Горбулин, В.П.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Горбулин, В.П.
Опубліковано: (2015)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Достояние мировой геологии и подземный ядерный могильник
за авторством: Комлев, В.Н.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Комлев, В.Н.
Опубліковано: (2016)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние объёмной магнитострикции на мартенситное превращение в сплавах железа. Магнитный фазовый переход первого рода
за авторством: Золотаревский, И.В.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Золотаревский, И.В.
Опубліковано: (2015)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Женский восточногерманский костюм V — начала VI вв. в Северной Галлии: два поколения
за авторством: Казанский, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Казанский, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Магнитный экситон в двухслойной системе
за авторством: Вол, Е.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Вол, Е.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Магнитный резонанс ядер ³He в пористых средах
за авторством: Клочков, А.В., та інші
Опубліковано: (2015) -
Электромагнитное возбуждение звука в борате железа
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2006) -
Ядерный магнитоакустический резонанс в тонкой пленке легкоплоскостного антиферромагнетика
за авторством: Тарасенко, С.В.
Опубліковано: (1995) -
Оcобенности распространения продольного звука в борате железа. Азимутальные зависимости
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2009) -
Магнитный резонанс и спин-переориентационные переходы в мультиферроике Nd₀,₇₅Ho₀,₂₅Fe₃(BO₃)₄
за авторством: Кобец, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)