Зображення обкладинки

Ядерный магнитный резонанс ядер ⁶⁹Ga, ⁷¹Ga в галлий-замещенном борате железа

Методом ядерного магнитного резонанса ядер ⁶⁹Ga, ⁷¹Ga при температуре 4,2 К изучены электронно ядерные взаимодействия в галлий-замещенном борате железа. Впервые получены значения косвенных  сверхтонких полей на ядрах галлия в указанном соединении. Проведено сравнение по...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	1995
Автори:	Дорошев, В.Д., Кольцов, М.А., Москвин, А.С., Селезнев, В.И., Соловьев, Е.Е.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175380
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Ядерный магнитный резонанс ядер ⁶⁹Ga, ⁷¹Ga в галлий-замещенном борате железа / В.Д. Дорошев, М.А. Кольцов, А.С. Москвин, В.И. Селезнев, Е.Е. Соловьев // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 675-677. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Магнитный резонанс ядер ³He в пористых средах
за авторством: Клочков, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Электромагнитное возбуждение звука в борате железа
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Ядерный магнитоакустический резонанс в тонкой пленке легкоплоскостного антиферромагнетика
за авторством: Тарасенко, С.В.
Опубліковано: (1995)

Оcобенности распространения продольного звука в борате железа. Азимутальные зависимости
за авторством: Хижный, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Магнитный резонанс и спин-переориентационные переходы в мультиферроике Nd₀,₇₅Ho₀,₂₅Fe₃(BO₃)₄
за авторством: Кобец, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитный резонанс и осцилляции магнитной анизотропии в сверхрешетках Co/Cu (111)
за авторством: Каплиенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Акустический магнитный резонанс в поглощении и дисперсии поверхностных упругих волн в многослойных пленках
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (1999)

Ядерный топлевный цикл Украины
за авторством: Красноруцкий, В.С.
Опубліковано: (2005)

Военно-ядерный тупик: украинский вариант
за авторством: Горбулин, В.П.
Опубліковано: (2015)

Магнитный резонанс межфазной границы в ферромагнитной пленке с модулированной анизотропией в условиях ориентационного фазового перехода
за авторством: Джежеря, Ю.И., та інші
Опубліковано: (2018)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Достояние мировой геологии и подземный ядерный могильник
за авторством: Комлев, В.Н.
Опубліковано: (2016)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние объёмной магнитострикции на мартенситное превращение в сплавах железа. Магнитный фазовый переход первого рода
за авторством: Золотаревский, И.В.
Опубліковано: (2015)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovskiy, S. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Женский восточногерманский костюм V — начала VI вв. в Северной Галлии: два поколения
за авторством: Казанский, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Параметрический магнитный сепаратор
за авторством: Онищенко, И.Н.
Опубліковано: (2004)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Магнитный экситон в двухслойной системе
за авторством: Вол, Е.Д., та інші
Опубліковано: (2000)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (1999)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Система словообразовательных гнезд как ядерный конструкт периферии ФСК взаимности
за авторством: Радзиховская, В.К.
Опубліковано: (2006)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)