О природе линейной зависимости кондактанса от напряжения в туннельных контактах высокотемпературных сверхпроводников выше критической температуры

Показано, что характерная для туннельных контактов высокотемпературных сверхпроводников линей­
 ная зависимость кцндактанса от напряжения может быть обусловлена неупругим рассеянием электронов в 
 процессе туннелирования не только на флуктуациях спиновой плотности (парамагнонах) в с...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1995
Автор: Пашицкий, Э.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175383
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О природе линейной зависимости кондактанса от напряжения в туннельных контактах высокотемпературных сверхпроводников выше критической температуры / Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 518-522. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Показано, что характерная для туннельных контактов высокотемпературных сверхпроводников линей­
 ная зависимость кцндактанса от напряжения может быть обусловлена неупругим рассеянием электронов в 
 процессе туннелирования не только на флуктуациях спиновой плотности (парамагнонах) в системе спинов с 
 антиферромагнитными корреляциями, но и на низкочастотных флуктуациях зарядовой плотности (акусти­
 ческих плазмонах) в системе почти локализованных «тяжелых» носителей заряда в аномально узкой зоне с 
 высЬкой плотностью состояний вблизи уровня Ферми либо на фононах с очень низкой дебаевской частотой 
 акустической части спектра и широким оптическим спектром. Показано, вдо типова для тунельних контактів високотемпературних надпровідників лінійна залежність 
 кондактанса від напруги може бути обумовлена непружнім розсіюванням електронів у процесі тунелювання 
 не тільки на флуктуаціях спінової густини (парамагнонах) в системі спінів з антіферомагнітними коре­
 ляціями, але й на низькочастотних флуктуаціях зарядової густини (акустичних плазмонах) в системі майже 
 локалізованих «важких» носіїв заряду в аномально вузькій зоні з високою густиною станів поблизу рівня 
 Фермі або на фононах з дуже низькою дебаївською частотою акустичної частини спектра та широким оптич­
 ним спектром. It is shown that the typical linear dependence of the 
 conductance on voltage for the tunneling contact of the 
 high Tc superconductors can result from the non-elastic 
 scattering of electrons not only by spin density fluctua­
 tions (paramagnons) in the system of the antiferromag- 
 netically correlated spins, but also by low-frequency 
 charge density fluctuations (acoustic plasmons) in the 
 system of nearly lokalized heavy charge carriers in the 
 anomalously narrow band having the high density of 
 states near the Fermi level, or by the phonons having a 
 very low Debay frequency of the acoustic part in the 
 phonon spectrum and a broad optical spectrum due to 
 the high frequency oscillations of the light oxygen 
 atoms.
ISSN:0132-6414