Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл

В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности 
 токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ­
 вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, чт...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1995
Main Authors: Найденов, С.В., Хлус, В.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175385
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860255991639048192
author Найденов, С.В.
Хлус, В.А.
author_facet Найденов, С.В.
Хлус, В.А.
citation_txt Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности 
 токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ­
 вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости от 
 характера туннелирования (нерезонансное в бесструктурном барьере; резонансное в барьере, содержащем 
 локализованные состояния) возможно существенно различное поведение динамических и фуктуационных 
 характеристик системы. Для конкретной модели резонансного туннелирования получено выражение для 
 тока, допускающее существование отрицательного дифференциального сопротивления в определенной обла­
 сти значений параметров рассеяния. Также получена формула для шума тока, спектральная плотность 
 которого по сравнению с нерезонансным туннелированием содержит дополнительные вклады, обусловлен­
 ные интерференционными электрон-дырочными процессами рассеяния на локализованном состоянии. В межах формалізму задачі розсіяння одержано загальні вирази для струму та спектральної густини 
 струмових флуктуацій в низькочастотному наближенні для контакту нормальний метал — надпровідник з 
 довільним бар’єром у присутності постійної зовнішньої різниці потенціалів. Виявлено, що в залежності від 
 характеру тунелювання (нерезовансне у безструктурному бар’єрі; резонансне у бар’єрі, що містить лока­
 лізовані стани) можливою є істотно відмінна поведінка динамічних та флуктуаційних характеристик систе­
 ми. Для конкретної моделі резонансного тунелювання одержано вираз для струму, який допускає існування 
 негативного диференційного опору в певній зоні значень параметрів розсіяння. Також одержано формулу для 
 шуму струму; спектральна густина якого у порівнянні з нерезонансним тунелюванням має додаткові внески за 
 рахунок наявності інтерференційних електрон-діркових процесів розсіяння на локалізованому стані. General expressions for the current and the spectral 
 density of current fluctuations in the low frequency limit 
 for the normal metal-superconductor contact with an ar­
 bitrary barrier in the presence of a constant external 
 potential difference have been obtained in terms of the 
 scattering problem formalism. It is demonstrated that the 
 dynamic and fluctuation characteristics of the system 
 can behave quite differently, as dictated by the tunnell­
 ing character (nonresonant in a structureless barrier; 
 resonant in a barrier containing localized states). For a 
 particular model of resonance tunneling, the expression 
 is obtained for the current allowing for existence of ne­
 gative .differential resistance in a certain range of the 
 scattering parameters as well as a formula for the noise 
 of the current whose spectral density contains more con­
 tributions than nonresonance tunneling that are due to 
 interference electron-hole process of scattering from a 
 localized state.
first_indexed 2025-12-07T18:49:15Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175385
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:49:15Z
publishDate 1995
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Найденов, С.В.
Хлус, В.А.
2021-02-01T11:28:00Z
2021-02-01T11:28:00Z
1995
Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175385
538.945
В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности 
 токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ­
 вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости от 
 характера туннелирования (нерезонансное в бесструктурном барьере; резонансное в барьере, содержащем 
 локализованные состояния) возможно существенно различное поведение динамических и фуктуационных 
 характеристик системы. Для конкретной модели резонансного туннелирования получено выражение для 
 тока, допускающее существование отрицательного дифференциального сопротивления в определенной обла­
 сти значений параметров рассеяния. Также получена формула для шума тока, спектральная плотность 
 которого по сравнению с нерезонансным туннелированием содержит дополнительные вклады, обусловлен­
 ные интерференционными электрон-дырочными процессами рассеяния на локализованном состоянии.
В межах формалізму задачі розсіяння одержано загальні вирази для струму та спектральної густини 
 струмових флуктуацій в низькочастотному наближенні для контакту нормальний метал — надпровідник з 
 довільним бар’єром у присутності постійної зовнішньої різниці потенціалів. Виявлено, що в залежності від 
 характеру тунелювання (нерезовансне у безструктурному бар’єрі; резонансне у бар’єрі, що містить лока­
 лізовані стани) можливою є істотно відмінна поведінка динамічних та флуктуаційних характеристик систе­
 ми. Для конкретної моделі резонансного тунелювання одержано вираз для струму, який допускає існування 
 негативного диференційного опору в певній зоні значень параметрів розсіяння. Також одержано формулу для 
 шуму струму; спектральна густина якого у порівнянні з нерезонансним тунелюванням має додаткові внески за 
 рахунок наявності інтерференційних електрон-діркових процесів розсіяння на локалізованому стані.
General expressions for the current and the spectral 
 density of current fluctuations in the low frequency limit 
 for the normal metal-superconductor contact with an ar­
 bitrary barrier in the presence of a constant external 
 potential difference have been obtained in terms of the 
 scattering problem formalism. It is demonstrated that the 
 dynamic and fluctuation characteristics of the system 
 can behave quite differently, as dictated by the tunnell­
 ing character (nonresonant in a structureless barrier; 
 resonant in a barrier containing localized states). For a 
 particular model of resonance tunneling, the expression 
 is obtained for the current allowing for existence of ne­
 gative .differential resistance in a certain range of the 
 scattering parameters as well as a formula for the noise 
 of the current whose spectral density contains more con­
 tributions than nonresonance tunneling that are due to 
 interference electron-hole process of scattering from a 
 localized state.
Данная работа поддержана грантом № U2F000 Международного научного фонда.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
Nonequilibrium fluctuations of current in superconductor-normal metal tunnel structures
Article
published earlier
spellingShingle Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
Найденов, С.В.
Хлус, В.А.
title Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
title_alt Nonequilibrium fluctuations of current in superconductor-normal metal tunnel structures
title_full Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
title_fullStr Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
title_full_unstemmed Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
title_short Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
title_sort неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175385
work_keys_str_mv AT naidenovsv neravnovesnyefluktuaciitokavtunnelʹnyhstrukturahsverhprovodniknormalʹnyimetall
AT hlusva neravnovesnyefluktuaciitokavtunnelʹnyhstrukturahsverhprovodniknormalʹnyimetall
AT naidenovsv nonequilibriumfluctuationsofcurrentinsuperconductornormalmetaltunnelstructures
AT hlusva nonequilibriumfluctuationsofcurrentinsuperconductornormalmetaltunnelstructures