Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл
В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности 
 токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ
 вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, чт...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1995 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175385 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860255991639048192 |
|---|---|
| author | Найденов, С.В. Хлус, В.А. |
| author_facet | Найденов, С.В. Хлус, В.А. |
| citation_txt | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности 
токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ
вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости от 
характера туннелирования (нерезонансное в бесструктурном барьере; резонансное в барьере, содержащем 
локализованные состояния) возможно существенно различное поведение динамических и фуктуационных 
характеристик системы. Для конкретной модели резонансного туннелирования получено выражение для 
тока, допускающее существование отрицательного дифференциального сопротивления в определенной обла
сти значений параметров рассеяния. Также получена формула для шума тока, спектральная плотность 
которого по сравнению с нерезонансным туннелированием содержит дополнительные вклады, обусловлен
ные интерференционными электрон-дырочными процессами рассеяния на локализованном состоянии.
В межах формалізму задачі розсіяння одержано загальні вирази для струму та спектральної густини 
струмових флуктуацій в низькочастотному наближенні для контакту нормальний метал — надпровідник з 
довільним бар’єром у присутності постійної зовнішньої різниці потенціалів. Виявлено, що в залежності від 
характеру тунелювання (нерезовансне у безструктурному бар’єрі; резонансне у бар’єрі, що містить лока
лізовані стани) можливою є істотно відмінна поведінка динамічних та флуктуаційних характеристик систе
ми. Для конкретної моделі резонансного тунелювання одержано вираз для струму, який допускає існування 
негативного диференційного опору в певній зоні значень параметрів розсіяння. Також одержано формулу для 
шуму струму; спектральна густина якого у порівнянні з нерезонансним тунелюванням має додаткові внески за 
рахунок наявності інтерференційних електрон-діркових процесів розсіяння на локалізованому стані.
General expressions for the current and the spectral 
density of current fluctuations in the low frequency limit 
for the normal metal-superconductor contact with an ar
bitrary barrier in the presence of a constant external 
potential difference have been obtained in terms of the 
scattering problem formalism. It is demonstrated that the 
dynamic and fluctuation characteristics of the system 
can behave quite differently, as dictated by the tunnell
ing character (nonresonant in a structureless barrier; 
resonant in a barrier containing localized states). For a 
particular model of resonance tunneling, the expression 
is obtained for the current allowing for existence of ne
gative .differential resistance in a certain range of the 
scattering parameters as well as a formula for the noise 
of the current whose spectral density contains more con
tributions than nonresonance tunneling that are due to 
interference electron-hole process of scattering from a 
localized state.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:49:15Z |
| format | Article |
| fulltext |
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175385 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:49:15Z |
| publishDate | 1995 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Найденов, С.В. Хлус, В.А. 2021-02-01T11:28:00Z 2021-02-01T11:28:00Z 1995 Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл / С.В. Найденов, В.А. Хлус // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 594-603. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175385 538.945 В рамках формализма задачи рассеяния получены общие выражения для тока и спектральной плотности 
 токовых флуктуаций в низкочастотном пределе для контакта нормальный металл — сверхпроводник с произ
 вольным барьером в присутствии постоянной внешней разности потенциалов. Показано, что в зависимости от 
 характера туннелирования (нерезонансное в бесструктурном барьере; резонансное в барьере, содержащем 
 локализованные состояния) возможно существенно различное поведение динамических и фуктуационных 
 характеристик системы. Для конкретной модели резонансного туннелирования получено выражение для 
 тока, допускающее существование отрицательного дифференциального сопротивления в определенной обла
 сти значений параметров рассеяния. Также получена формула для шума тока, спектральная плотность 
 которого по сравнению с нерезонансным туннелированием содержит дополнительные вклады, обусловлен
 ные интерференционными электрон-дырочными процессами рассеяния на локализованном состоянии. В межах формалізму задачі розсіяння одержано загальні вирази для струму та спектральної густини 
 струмових флуктуацій в низькочастотному наближенні для контакту нормальний метал — надпровідник з 
 довільним бар’єром у присутності постійної зовнішньої різниці потенціалів. Виявлено, що в залежності від 
 характеру тунелювання (нерезовансне у безструктурному бар’єрі; резонансне у бар’єрі, що містить лока
 лізовані стани) можливою є істотно відмінна поведінка динамічних та флуктуаційних характеристик систе
 ми. Для конкретної моделі резонансного тунелювання одержано вираз для струму, який допускає існування 
 негативного диференційного опору в певній зоні значень параметрів розсіяння. Також одержано формулу для 
 шуму струму; спектральна густина якого у порівнянні з нерезонансним тунелюванням має додаткові внески за 
 рахунок наявності інтерференційних електрон-діркових процесів розсіяння на локалізованому стані. General expressions for the current and the spectral 
 density of current fluctuations in the low frequency limit 
 for the normal metal-superconductor contact with an ar
 bitrary barrier in the presence of a constant external 
 potential difference have been obtained in terms of the 
 scattering problem formalism. It is demonstrated that the 
 dynamic and fluctuation characteristics of the system 
 can behave quite differently, as dictated by the tunnell
 ing character (nonresonant in a structureless barrier; 
 resonant in a barrier containing localized states). For a 
 particular model of resonance tunneling, the expression 
 is obtained for the current allowing for existence of ne
 gative .differential resistance in a certain range of the 
 scattering parameters as well as a formula for the noise 
 of the current whose spectral density contains more con
 tributions than nonresonance tunneling that are due to 
 interference electron-hole process of scattering from a 
 localized state. Данная работа поддержана грантом № U2F000 Международного научного фонда. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл Nonequilibrium fluctuations of current in superconductor-normal metal tunnel structures Article published earlier |
| spellingShingle | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл Найденов, С.В. Хлус, В.А. |
| title | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл |
| title_alt | Nonequilibrium fluctuations of current in superconductor-normal metal tunnel structures |
| title_full | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл |
| title_fullStr | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл |
| title_full_unstemmed | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл |
| title_short | Неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл |
| title_sort | неравновесные флуктуации тока в туннельных структурах сверхпроводник-нормальный металл |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175385 |
| work_keys_str_mv | AT naidenovsv neravnovesnyefluktuaciitokavtunnelʹnyhstrukturahsverhprovodniknormalʹnyimetall AT hlusva neravnovesnyefluktuaciitokavtunnelʹnyhstrukturahsverhprovodniknormalʹnyimetall AT naidenovsv nonequilibriumfluctuationsofcurrentinsuperconductornormalmetaltunnelstructures AT hlusva nonequilibriumfluctuationsofcurrentinsuperconductornormalmetaltunnelstructures |