О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S

Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­ ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­ нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­ зан...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1995
Main Authors: Куплевахский, С.В., Фалько, И.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­ ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­ нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­ зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру. Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру. W e construct a theory of the influence of random structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the localized states induced by supercurrent in Josephson junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier potential, we derive a general formula for the energy of a quasi-discrete level. We show that shift and damping of the localized state occur owing to tunneling with the non-conservation of the momentum component parallel to the barrier.
ISSN:0132-6414