О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S

Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­
 ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­
 нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного ур...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1995
Hauptverfasser: Куплевахский, С.В., Фалько, И.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­
 ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­
 нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­
 зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной 
 вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру. Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані 
 стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій 
 потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ 
 локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- 
 женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру. W e construct a theory of the influence of random 
 structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the 
 localized states induced by supercurrent in Josephson 
 junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier 
 potential, we derive a general formula for the energy of 
 a quasi-discrete level. We show that shift and damping 
 of the localized state occur owing to tunneling with the 
 non-conservation of the momentum component parallel 
 to the barrier.
ISSN:0132-6414