О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока зан...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1995 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо
ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе
нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока
зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной
вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру.
Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані
стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій
потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ
локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере-
женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру.
W e construct a theory of the influence of random
structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the
localized states induced by supercurrent in Josephson
junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier
potential, we derive a general formula for the energy of
a quasi-discrete level. We show that shift and damping
of the localized state occur owing to tunneling with the
non-conservation of the momentum component parallel
to the barrier.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |