О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока зан...
Saved in:
| Date: | 1995 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Series: | Физика низких температур |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо
ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе
нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока
зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной
вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру. |
|---|