О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо
 ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе
 нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного ур...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1995 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862632710598557696 |
|---|---|
| author | Куплевахский, С.В. Фалько, И.И. |
| author_facet | Куплевахский, С.В. Фалько, И.И. |
| citation_txt | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо
ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе
нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока
зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной 
вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру.
Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані 
стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій 
потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ 
локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- 
женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру.
W e construct a theory of the influence of random 
structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the 
localized states induced by supercurrent in Josephson 
junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier 
potential, we derive a general formula for the energy of 
a quasi-discrete level. We show that shift and damping 
of the localized state occur owing to tunneling with the 
non-conservation of the momentum component parallel 
to the barrier.
|
| first_indexed | 2025-11-30T13:45:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175387 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T13:45:44Z |
| publishDate | 1995 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Куплевахский, С.В. Фалько, И.И. 2021-02-01T11:28:39Z 2021-02-01T11:28:39Z 1995 О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387 538.945 Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо
 ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе
 нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока
 зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной 
 вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру. Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані 
 стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій 
 потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ 
 локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- 
 женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру. W e construct a theory of the influence of random 
 structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the 
 localized states induced by supercurrent in Josephson 
 junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier 
 potential, we derive a general formula for the energy of 
 a quasi-discrete level. We show that shift and damping 
 of the localized state occur owing to tunneling with the 
 non-conservation of the momentum component parallel 
 to the barrier. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S On the effect of weak inhomogeneity of the tunnel barrier on supercurrent-induced localized states in the S /l/S -junction Article published earlier |
| spellingShingle | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S Куплевахский, С.В. Фалько, И.И. |
| title | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S |
| title_alt | On the effect of weak inhomogeneity of the tunnel barrier on supercurrent-induced localized states in the S /l/S -junction |
| title_full | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S |
| title_fullStr | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S |
| title_full_unstemmed | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S |
| title_short | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S |
| title_sort | о влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте s/i/s |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387 |
| work_keys_str_mv | AT kuplevahskiisv ovliâniislaboineodnorodnostitunnelʹnogobarʹeranalokalizovannyesostoâniâinducirovannyesverhprovodâŝimtokomvkontaktesis AT falʹkoii ovliâniislaboineodnorodnostitunnelʹnogobarʹeranalokalizovannyesostoâniâinducirovannyesverhprovodâŝimtokomvkontaktesis AT kuplevahskiisv ontheeffectofweakinhomogeneityofthetunnelbarrieronsupercurrentinducedlocalizedstatesintheslsjunction AT falʹkoii ontheeffectofweakinhomogeneityofthetunnelbarrieronsupercurrentinducedlocalizedstatesintheslsjunction |