О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S

О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S

Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­ ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­ нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­ зан...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1995
Автори: Куплевахский, С.В., Фалько, И.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175387
record_format dspace
spelling Куплевахский, С.В.
Фалько, И.И.
2021-02-01T11:28:39Z
2021-02-01T11:28:39Z
1995
О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387
538.945
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­ ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­ нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­ зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру.
Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру.
W e construct a theory of the influence of random structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the localized states induced by supercurrent in Josephson junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier potential, we derive a general formula for the energy of a quasi-discrete level. We show that shift and damping of the localized state occur owing to tunneling with the non-conservation of the momentum component parallel to the barrier.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
On the effect of weak inhomogeneity of the tunnel barrier on supercurrent-induced localized states in the S /l/S -junction
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
spellingShingle О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Куплевахский, С.В.
Фалько, И.И.
title_short О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
title_full О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
title_fullStr О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
title_full_unstemmed О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
title_sort о влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте s/i/s
author Куплевахский, С.В.
Фалько, И.И.
author_facet Куплевахский, С.В.
Фалько, И.И.
publishDate 1995
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt On the effect of weak inhomogeneity of the tunnel barrier on supercurrent-induced localized states in the S /l/S -junction
description Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­ ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­ нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­ зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру. Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру. W e construct a theory of the influence of random structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the localized states induced by supercurrent in Josephson junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier potential, we derive a general formula for the energy of a quasi-discrete level. We show that shift and damping of the localized state occur owing to tunneling with the non-conservation of the momentum component parallel to the barrier.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387
citation_txt О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kuplevahskiisv ovliâniislaboineodnorodnostitunnelʹnogobarʹeranalokalizovannyesostoâniâinducirovannyesverhprovodâŝimtokomvkontaktesis
AT falʹkoii ovliâniislaboineodnorodnostitunnelʹnogobarʹeranalokalizovannyesostoâniâinducirovannyesverhprovodâŝimtokomvkontaktesis
AT kuplevahskiisv ontheeffectofweakinhomogeneityofthetunnelbarrieronsupercurrentinducedlocalizedstatesintheslsjunction
AT falʹkoii ontheeffectofweakinhomogeneityofthetunnelbarrieronsupercurrentinducedlocalizedstatesintheslsjunction
first_indexed 2025-11-30T13:45:44Z
last_indexed 2025-11-30T13:45:44Z
_version_ 1850857744840523776

Схожі ресурси