О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S
Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока зан...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1995 |
| Main Authors: | Куплевахский, С.В., Фалько, И.И. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175387 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S / С.В. Куплевахский, И.И. Фалько // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 6. — С. 613-616. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Влияние слабой неоднородности объёмного заряда в поровом пространстве наносуспензий на электроакустический эффект
by: Борковская, Ю.Б., et al.
Published: (2008) -
Электронные и фононные состояния, локализованные вблизи границы графена
by: Еременко, В.В., et al.
Published: (2018) -
Электронные и фононные состояния, локализованные вблизи границы графена
by: Еременко, В.В., et al.
Published: (2017) -
Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
by: Покутний, С.И., et al.
Published: (2012) -
Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
by: Шатерник, В.Е., et al.
Published: (2016)