Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП

На частоте 8,95 ГГц исследовано поверхностное сопротивление Rs эпитаксиальных пленок ВТСП YBa₂Cu₃O₇τ-δ на сапфире в присутствии мощного дополнительного микроволнового сигнала частотой 9,4 ГГц, обеспечивающего на пленке амплитуду переменного магнитного поля до 20 E. Установлено, что Rs пленки ВТСП ув...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1997
Main Authors: Мелков, Г.А., Малышев, В.Ю., Kорсак, С.K.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175393
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, С.K. Kорсак // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1041-1045. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862649592618680320
author Мелков, Г.А.
Малышев, В.Ю.
Kорсак, С.K.
author_facet Мелков, Г.А.
Малышев, В.Ю.
Kорсак, С.K.
citation_txt Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, С.K. Kорсак // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1041-1045. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description На частоте 8,95 ГГц исследовано поверхностное сопротивление Rs эпитаксиальных пленок ВТСП YBa₂Cu₃O₇τ-δ на сапфире в присутствии мощного дополнительного микроволнового сигнала частотой 9,4 ГГц, обеспечивающего на пленке амплитуду переменного магнитного поля до 20 E. Установлено, что Rs пленки ВТСП увеличивается при увеличении амплитуды такого дополнительного сигнала. При этом величина Rs пленки ВТСП практически совпадает с величиной нелинейного поверхностного сопротивления пленки при той же амплитуде переменного магнитного поля. То есть поверхностные сопротивления пленки для слабого сигнала в присутствии мощного дополнительного
 и для одного мощного сигнала являются близкими друг к другу. Предложено объяснение
 наблюдаемых явлении, основанное на представлении пленки ВТСП как джозефсоновскои среды,
 содержащей различного вида джозефсоновские контакты. Под действием мощного микроволнового
 сигнала свойства этой среды могут изменяться из-за переключения части контактов, что вызывает
 переход среды в новое состояние, одинаково проявляющее себя как для слабого, так и для сильного
 сигналов. На частоті 8,95 ГГц досліджено поверхневий опір еиітаксіальних плівок YBa₂Cu₃O₇τ-δ на сапфірі в присутності потужного додаткового сигналу частотою 9,4 ГГц, що забезпечує на плівці
 амплітуду змінного магнітного поля до 20 Е. Встановлено, що Rs плівки ВТНП зростає при
 збільшенні амплітуди такого додаткового сигналу. При цьому величина Rs плівки ВТНП практично
 співпадає з величиною нелінійного поверхневого опору плівки за тієї ж амплітуди змінного
 магнітного поля. Тобто поверхневі опори плівки для слабкого сигналу в присутності потужного
 додаткового та для самого потужного сигналу є близькими один до іншого. Запропоновано
 пояснення спостережуваних явищ, яке грунтується на уявленні плівки ВТНП як джозефсонівського
 середовища, що містить різного виду джозефсонівські контакти. Під дією потужного
 мікрохвильового сигналу властивості цього середовища можуть змінюватися через перемикання
 частини контактів, що викликає перехід середовища в новин стан, який однаково проявляє себе як
 для слабкого, так і для сильного сигналів. Surface resistance Rs of epitaxial HTSC films of YBa₂Cu₃O₇τ-δ on sapphire at the frequency 8 95 GHz is measured in the presence of a powerful additional
 9.4 GHz signal ensuring the amplitude of ac magnetic field on a film up to 20 Oe It is found that
 the surface resistance of a HTSC film increases with
 increasing the additional signal amplitude. Moreover, the magnitude of Rs, of a HTSC film is practically equal to the value of nonlinear surface resistance of the film with the same amplitude of ac magnetic field That is the surface resistances of a
 film for a weak signal in the presence of a powerful
 additional signal and tor a powerful signal are close
 to each other. An explanation of the phenomena
 observed is proposed which is based on the idea that
 a HTSC film is a Josephson medium containing
 various types of Josephson junctions. Under the influence of a powerful microwave signal, the properties of this medium may change because of the
 switching of a part of the junctions, resulting in the
 transition of the medium to a new state which manifests itself equally both tor weak and for powerful
 signals.
first_indexed 2025-12-01T15:57:22Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175393
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-01T15:57:22Z
publishDate 1997
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Мелков, Г.А.
Малышев, В.Ю.
Kорсак, С.K.
2021-02-01T11:35:57Z
2021-02-01T11:35:57Z
1997
Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП / Г.А. Мелков, В.Ю. Малышев, С.K. Kорсак // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1041-1045. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 74.30.Gn, 74.20.De, 74.30.Ci, 74.60.Ge
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175393
На частоте 8,95 ГГц исследовано поверхностное сопротивление Rs эпитаксиальных пленок ВТСП YBa₂Cu₃O₇τ-δ на сапфире в присутствии мощного дополнительного микроволнового сигнала частотой 9,4 ГГц, обеспечивающего на пленке амплитуду переменного магнитного поля до 20 E. Установлено, что Rs пленки ВТСП увеличивается при увеличении амплитуды такого дополнительного сигнала. При этом величина Rs пленки ВТСП практически совпадает с величиной нелинейного поверхностного сопротивления пленки при той же амплитуде переменного магнитного поля. То есть поверхностные сопротивления пленки для слабого сигнала в присутствии мощного дополнительного
 и для одного мощного сигнала являются близкими друг к другу. Предложено объяснение
 наблюдаемых явлении, основанное на представлении пленки ВТСП как джозефсоновскои среды,
 содержащей различного вида джозефсоновские контакты. Под действием мощного микроволнового
 сигнала свойства этой среды могут изменяться из-за переключения части контактов, что вызывает
 переход среды в новое состояние, одинаково проявляющее себя как для слабого, так и для сильного
 сигналов.
На частоті 8,95 ГГц досліджено поверхневий опір еиітаксіальних плівок YBa₂Cu₃O₇τ-δ на сапфірі в присутності потужного додаткового сигналу частотою 9,4 ГГц, що забезпечує на плівці
 амплітуду змінного магнітного поля до 20 Е. Встановлено, що Rs плівки ВТНП зростає при
 збільшенні амплітуди такого додаткового сигналу. При цьому величина Rs плівки ВТНП практично
 співпадає з величиною нелінійного поверхневого опору плівки за тієї ж амплітуди змінного
 магнітного поля. Тобто поверхневі опори плівки для слабкого сигналу в присутності потужного
 додаткового та для самого потужного сигналу є близькими один до іншого. Запропоновано
 пояснення спостережуваних явищ, яке грунтується на уявленні плівки ВТНП як джозефсонівського
 середовища, що містить різного виду джозефсонівські контакти. Під дією потужного
 мікрохвильового сигналу властивості цього середовища можуть змінюватися через перемикання
 частини контактів, що викликає перехід середовища в новин стан, який однаково проявляє себе як
 для слабкого, так і для сильного сигналів.
Surface resistance Rs of epitaxial HTSC films of YBa₂Cu₃O₇τ-δ on sapphire at the frequency 8 95 GHz is measured in the presence of a powerful additional
 9.4 GHz signal ensuring the amplitude of ac magnetic field on a film up to 20 Oe It is found that
 the surface resistance of a HTSC film increases with
 increasing the additional signal amplitude. Moreover, the magnitude of Rs, of a HTSC film is practically equal to the value of nonlinear surface resistance of the film with the same amplitude of ac magnetic field That is the surface resistances of a
 film for a weak signal in the presence of a powerful
 additional signal and tor a powerful signal are close
 to each other. An explanation of the phenomena
 observed is proposed which is based on the idea that
 a HTSC film is a Josephson medium containing
 various types of Josephson junctions. Under the influence of a powerful microwave signal, the properties of this medium may change because of the
 switching of a part of the junctions, resulting in the
 transition of the medium to a new state which manifests itself equally both tor weak and for powerful
 signals.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
Nonlinear microwave properties of epitaxial HTSC films
Article
published earlier
spellingShingle Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
Мелков, Г.А.
Малышев, В.Ю.
Kорсак, С.K.
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
title Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
title_alt Nonlinear microwave properties of epitaxial HTSC films
title_full Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
title_fullStr Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
title_full_unstemmed Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
title_short Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
title_sort нелинейные свч свойства эпитаксиальных пленок втсп
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175393
work_keys_str_mv AT melkovga nelineinyesvčsvoistvaépitaksialʹnyhplenokvtsp
AT malyševvû nelineinyesvčsvoistvaépitaksialʹnyhplenokvtsp
AT korsaksk nelineinyesvčsvoistvaépitaksialʹnyhplenokvtsp
AT melkovga nonlinearmicrowavepropertiesofepitaxialhtscfilms
AT malyševvû nonlinearmicrowavepropertiesofepitaxialhtscfilms
AT korsaksk nonlinearmicrowavepropertiesofepitaxialhtscfilms