Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая пр...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1997 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175405 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1078-1087. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |