Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте
Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая пр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1997 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175405 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте / В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, С.В. Рожок // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 10. — С. 1078-1087. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!