Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах
Особенностью топологических изоляторов является наличие электронных, топологически защищенных квазичастичных поверхностных состояний, исключительно устойчивых к наличию примесей, однако структура спектра рассеяния поверхностных квазичастиц изучена слабо. Цель работы — определение
 структуры...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175437 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах / Ю.В. Топоров, А.А. Кордюк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 134-139. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862591403904729088 |
|---|---|
| author | Топоров, Ю.В. Кордюк, А.А. |
| author_facet | Топоров, Ю.В. Кордюк, А.А. |
| citation_txt | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах / Ю.В. Топоров, А.А. Кордюк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 134-139. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Особенностью топологических изоляторов является наличие электронных, топологически защищенных квазичастичных поверхностных состояний, исключительно устойчивых к наличию примесей, однако структура спектра рассеяния поверхностных квазичастиц изучена слабо. Цель работы — определение
структуры собственной энергии поверхностных состояний из анализа фотоэмиссионных спектров. В частности, детально исследовано уширение этих состояний в зависимости от энергии связи в Bi₂Se₃
и Bi₂Te₂Se — наиболее изученных топологических изоляторах. Выявленная ступенчатая структура уширения позволила выделить вклады упругого и неупругого межзонного рассеяния (поверхность–объем)
в квазичастичную собственную энергию и показать, что оно сравнимо с упругим внутризонным рассеянием.
Особливістю топологічних ізоляторів є наявність електронних топологічно захищених квазічастинкових поверхневих станів, винятково стійких до наявності домішок, однак
структуру спектра розсіяння поверхневих квазічастинок вивчено слабко. Мета роботи — визначення структури власної
енергії поверхневих станів з аналізу фотоемісійних спектрів.
Зокрема, детально досліджено уширення цих станів в залежності від енергії зв’язку у Bi₂Se₃ та Bi₂Te₂Se — найбільш досліджених топологічних ізоляторах. Виявлена сходинкова
структура уширення дозволила виділити внески пружного та
непружного міжзонного розсіяння (поверхня–об’єм) до квазічастинкової власної енергії та показати, що воно порівнянне з пружним внутрішньозонним розсіянням.
The uniqueness of topological insulators is in the presence of
the topologically protected quasiparticle surface states, which are
exceptionally resistant to presence of impurities, nevertheless the
structure of the scattering spectrum of topological quasiparticles
is not well studied. The aim of the work — determination of the
surface states self-energy from photoemission spectra analysis. In
particular, the binding energy dependence of the broadening of
these states has been studied in detail in Bi₂Se₃ and Bi₂Te₂Se —
the most explored topological insulators. The revealed stairstructure of the broadening made it possible to distinguish the
contributions of the elastic and inelastic interband scattering (surface to bulk) to quasiparticle self-energy and to show that these
contributions are comparable with the elastic intraband scattering
|
| first_indexed | 2025-11-27T07:41:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175437 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T07:41:58Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Топоров, Ю.В. Кордюк, А.А. 2021-02-01T13:13:24Z 2021-02-01T13:13:24Z 2019 Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах / Ю.В. Топоров, А.А. Кордюк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 134-139. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175437 Особенностью топологических изоляторов является наличие электронных, топологически защищенных квазичастичных поверхностных состояний, исключительно устойчивых к наличию примесей, однако структура спектра рассеяния поверхностных квазичастиц изучена слабо. Цель работы — определение
 структуры собственной энергии поверхностных состояний из анализа фотоэмиссионных спектров. В частности, детально исследовано уширение этих состояний в зависимости от энергии связи в Bi₂Se₃
 и Bi₂Te₂Se — наиболее изученных топологических изоляторах. Выявленная ступенчатая структура уширения позволила выделить вклады упругого и неупругого межзонного рассеяния (поверхность–объем)
 в квазичастичную собственную энергию и показать, что оно сравнимо с упругим внутризонным рассеянием. Особливістю топологічних ізоляторів є наявність електронних топологічно захищених квазічастинкових поверхневих станів, винятково стійких до наявності домішок, однак
 структуру спектра розсіяння поверхневих квазічастинок вивчено слабко. Мета роботи — визначення структури власної
 енергії поверхневих станів з аналізу фотоемісійних спектрів.
 Зокрема, детально досліджено уширення цих станів в залежності від енергії зв’язку у Bi₂Se₃ та Bi₂Te₂Se — найбільш досліджених топологічних ізоляторах. Виявлена сходинкова
 структура уширення дозволила виділити внески пружного та
 непружного міжзонного розсіяння (поверхня–об’єм) до квазічастинкової власної енергії та показати, що воно порівнянне з пружним внутрішньозонним розсіянням. The uniqueness of topological insulators is in the presence of
 the topologically protected quasiparticle surface states, which are
 exceptionally resistant to presence of impurities, nevertheless the
 structure of the scattering spectrum of topological quasiparticles
 is not well studied. The aim of the work — determination of the
 surface states self-energy from photoemission spectra analysis. In
 particular, the binding energy dependence of the broadening of
 these states has been studied in detail in Bi₂Se₃ and Bi₂Te₂Se —
 the most explored topological insulators. The revealed stairstructure of the broadening made it possible to distinguish the
 contributions of the elastic and inelastic interband scattering (surface to bulk) to quasiparticle self-energy and to show that these
 contributions are comparable with the elastic intraband scattering ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах Механізми розсіяння поверхневих електронів в топологічних ізоляторах Scattering mechanisms of surface electrons in topological insulators Article published earlier |
| spellingShingle | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах Топоров, Ю.В. Кордюк, А.А. Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках |
| title | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах |
| title_alt | Механізми розсіяння поверхневих електронів в топологічних ізоляторах Scattering mechanisms of surface electrons in topological insulators |
| title_full | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах |
| title_fullStr | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах |
| title_full_unstemmed | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах |
| title_short | Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах |
| title_sort | механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах |
| topic | Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках |
| topic_facet | Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175437 |
| work_keys_str_mv | AT toporovûv mehanizmyrasseâniâpoverhnostnyhélektronovvtopologičeskihizolâtorah AT kordûkaa mehanizmyrasseâniâpoverhnostnyhélektronovvtopologičeskihizolâtorah AT toporovûv mehanízmirozsíânnâpoverhnevihelektronívvtopologíčnihízolâtorah AT kordûkaa mehanízmirozsíânnâpoverhnevihelektronívvtopologíčnihízolâtorah AT toporovûv scatteringmechanismsofsurfaceelectronsintopologicalinsulators AT kordûkaa scatteringmechanismsofsurfaceelectronsintopologicalinsulators |