Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях
На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости
 подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных
 ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в располо...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175438 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 140-145. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547632990191616 |
|---|---|
| author | Михеев, В.М. |
| author_facet | Михеев, В.М. |
| citation_txt | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 140-145. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости
подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных
ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в расположении примесных ионов наличие эффекта «инверсии электронной проводимости» приводит к локальным
максимумам электронной подвижности.
На прикладі гетероструктури AlxGa₁–xAs/GaAs теоретично
вивчено концентраційні залежності рухливості 2D-електронів
при розсіянні на рівноважному корельованому розподілі домішкових іонів при фіксованих температурах. Показано, що у випадку значних кореляцій в розташуванні домішкових іонів наявність ефекту «інверсії електронної провідності» призводить до
локальних максимумів електронної рухливості.
Using the example of the AlxGa₁–xAs/GaAs heterostructure,
the concentration dependences of the mobility of 2D electrons
upon scattering by an equilibrium correlated distribution of impurity
ions at fixed temperatures are theoretically studied. It is shown that,
in the case of significant correlations in the arrangement of impurity
ions, the presence of the effect of “electron conduction inversion”
leads to local maxima of the electron mobility.
|
| first_indexed | 2025-11-25T16:21:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175438 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T16:21:42Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Михеев, В.М. 2021-02-01T13:13:36Z 2021-02-01T13:13:36Z 2019 Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 140-145. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175438 На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости
 подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных
 ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в расположении примесных ионов наличие эффекта «инверсии электронной проводимости» приводит к локальным
 максимумам электронной подвижности. На прикладі гетероструктури AlxGa₁–xAs/GaAs теоретично
 вивчено концентраційні залежності рухливості 2D-електронів
 при розсіянні на рівноважному корельованому розподілі домішкових іонів при фіксованих температурах. Показано, що у випадку значних кореляцій в розташуванні домішкових іонів наявність ефекту «інверсії електронної провідності» призводить до
 локальних максимумів електронної рухливості. Using the example of the AlxGa₁–xAs/GaAs heterostructure,
 the concentration dependences of the mobility of 2D electrons
 upon scattering by an equilibrium correlated distribution of impurity
 ions at fixed temperatures are theoretically studied. It is shown that,
 in the case of significant correlations in the arrangement of impurity
 ions, the presence of the effect of “electron conduction inversion”
 leads to local maxima of the electron mobility. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (шифр «Электрон», Г.р. № ААААА18-118020190098-5). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях Концентраційні максимуми рухливості 2D-електронів при розсіянні на корельованих домішкових іонах в тонких легованих шарах Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers Article published earlier |
| spellingShingle | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях Михеев, В.М. Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках |
| title | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях |
| title_alt | Концентраційні максимуми рухливості 2D-електронів при розсіянні на корельованих домішкових іонах в тонких легованих шарах Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers |
| title_full | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях |
| title_fullStr | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях |
| title_full_unstemmed | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях |
| title_short | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях |
| title_sort | концентрационные максимумы подвижности 2d-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях |
| topic | Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках |
| topic_facet | Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175438 |
| work_keys_str_mv | AT miheevvm koncentracionnyemaksimumypodvižnosti2délektronovprirasseâniinaskorrelirovannyhprimesnyhionahvtonkihlegirovannyhsloâh AT miheevvm koncentracíinímaksimumiruhlivostí2delektronívprirozsíânnínakorelʹovanihdomíškovihíonahvtonkihlegovanihšarah AT miheevvm concentrationmaximaofthemobilityof2delectronsscatteredbycorrelatedimpurityionsinthindopedlayers |