Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2019
• Main Author: Михеев, В.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
• Subjects: Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175438
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 140-145. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в расположении примесных...