Вольт-амперные характеристики квантовых туннельных контактов при малых напряжениях

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1996
• Hauptverfasser: Братусь, Е.Н., Вендин, Е., Шумейко, В.С., Безуглый, Е.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175471
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вольт-амперные характеристики квантовых туннельных контактов при малых напряжениях / Е. Н. Братусь, Е. Бендин, В. С. Шумейко, Е. В. Безуглый // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 6. — С. 622-625. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Теоретически исследованы зависимости постоянного и переменного токов Джозефсона в квантовом туннельном контакте с произвольной прозрачностью 0 < D < 1 от заданного напряжения в области смещений, малых по сравнению с величиной энергетической щели. Обсуждаются физические механизмы формирова­ния сверхтекучей и квазичастичной компонент тока при адиабатических колебаниях андреевских локализо­ванных состояний в контакте. Теоретично досліджено залежності постійного та змінного струмів Джозефсона в квантовому тунельному контакті з довільною прозорістю 0 < D < 1 від заданої напруги в області зміщень, малих в порівнянні з величиною енергетичної щілини. Обговорюються фізичні механізми формування надплинної та квазічасткової ком­понент струму при адіабатичних коливаннях андріївських локалізованих станів у контакті. We have investigated theoretically the dependences of de and ac Josephson current in a quantum tunnel junction of an arbitrary transparency 0 < D < 1 on a given bias much less than the energy gap. The physical mechanisms of the generation of superfluid and quasi­particle current under adiabatic oscillations of the An­dreev bound states in the junction are discussed.