Туннелирование в нормальное состояние металлооксидных сверхпроводников - Свистунов, В.М.; Хачатуров, А.И.; Белоголовский, М.А.; Черняк, О.И. (Физика низких температур, 1996)
Показано, что некоторые принципы, общепринятые в туннельной спектроскопии обычных сверхпроводников, перестают быть справедливыми для металлооксидов. Барьерная характеристика симметричного контакта, образованного двумя металлооксидами с малой энергией Ферми, не обязательно имеет форму параболы. В некоторых случаях в зависимости от параметров барьера в туннельной проводимости может наблюдаться нулевая аномалия типа «пик проводимости». Более того, при больших значениях потенциального барьера или малых его толщинах характеристика убывает во всей исследуемой области напряжений смещения. Показано, що деякі принципи, загально прийняті у тунельній спектроскопії звичайних надпровідників, перестають бути доречними до металооксидів. Бар'єрна характеристика симетричного контакту, утвореного двома металооксидами з малою енергією Фермі, не обов’язково має форму параболи. У деяких випадках у залежності від параметрів бар’єру в тунельної провідності може спостерігатися нульова аномалія типу «пік провідності». Більш того, при великих значеннях потенційного бар’єру або малих його товщинах характеристика спадає по всій дослідженій області напруги зміщення. It is found that some principles that are almost universally accepted in the tunneling spectroscopy of conventional superconductors cease to be true in the spectroscopy of metal oxides. The barrier characteristic for a symmetrical tunnel contact formed by two metal oxides is not always a rough parabola. In some cases depending on the barrier parameters the normal state metal oxide tunneling conductance exhibits a «resistance-type» zero bias anomaly. Moreover, for reasonably large potential barrier height and/or for small barrier thickness this characteristic decreases with voltage throughout the whole range under study.