Резистивное состояние ВТСП пленки в переменном магнитном поле

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1998
• Автори: Пальти, А.М., Рубан, А.И., Снарский, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175476
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Резистивное состояние ВТСП пленки в переменном магнитном поле / А.М. Пальти, А.И. Рубан, А.А. Снарский // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 5. — С. 445-448. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В рамках перколяционной модели рассчитана зависимость диссипации от частоты в переменном внешнем магнитном поле, перпендикулярном пленке ВТСП. При низких частотах зависимость линейна, а при высоких имеет максимум. Линейная зависимость диссипации от частоты в области низких частот подтверждается результатами экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик. The frequency dependence of dissipation in a varying external magnetic field perpendicular to a HTSC film is calculated by using the percolation model. The dependence is linear at low frequencies and has a peak at high frequencies. The linear frequency dependence of dissipation in the low-frequency region is confirmed by the results of experimental studies of current–voltage characteristics.