Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1995
• Hauptverfasser: Волошин, В.А., Михеенко, П.И., Бабенко, В.В., Бутько, В.Г., Резник, И.М., Южелевский, Я.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175486
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в двумерных слоях минимальной ЭП. Проведено разрахунок та побудовано карти розподілу електронної густини (ЕГ) элементарних комірок кристалів у Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ та Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, що заміна іона Y³⁺ іоном Рг⁴⁺ деформує розподіл ЕГ поблизу СиO₂ -площини. Зроблено припущення, що надпровідний струм тече у двовимірних шарах міні­ мальної ЕГ. The electron density distribution of the cells of Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ and Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ is calculated and mapped. It is shown that the substitution of Y³⁺ ion by Рг⁴⁺ ion deforms the electron density distribution in the vicinity of the СиO₂ planes. It is supposed, that super­ current flows in two-dimensional layers of the lowest electron density.