Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺
Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1995 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175486 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859604986677166080 |
|---|---|
| author | Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. |
| author_facet | Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. |
| citation_txt | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов
Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации
распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в
двумерных слоях минимальной ЭП.
Проведено разрахунок та побудовано карти розподілу електронної густини (ЕГ) элементарних комірок
кристалів у Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ та Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, що заміна іона Y³⁺ іоном Рг⁴⁺ деформує розподіл
ЕГ поблизу СиO₂ -площини. Зроблено припущення, що надпровідний струм тече у двовимірних шарах міні
мальної ЕГ.
The electron density distribution of the cells of
Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ and Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ is calculated and
mapped. It is shown that the substitution of Y³⁺ ion by
Рг⁴⁺ ion deforms the electron density distribution in the
vicinity of the СиO₂ planes. It is supposed, that super
current flows in two-dimensional layers of the lowest
electron density.
|
| first_indexed | 2025-11-28T02:35:51Z |
| format | Article |
| fulltext |
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175486 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T02:35:51Z |
| publishDate | 1995 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. 2021-02-01T15:20:52Z 2021-02-01T15:20:52Z 1995 Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175486 538.913 Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в двумерных слоях минимальной ЭП. Проведено разрахунок та побудовано карти розподілу електронної густини (ЕГ) элементарних комірок кристалів у Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ та Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, що заміна іона Y³⁺ іоном Рг⁴⁺ деформує розподіл ЕГ поблизу СиO₂ -площини. Зроблено припущення, що надпровідний струм тече у двовимірних шарах міні мальної ЕГ. The electron density distribution of the cells of Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ and Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ is calculated and mapped. It is shown that the substitution of Y³⁺ ion by Рг⁴⁺ ion deforms the electron density distribution in the vicinity of the СиO₂ planes. It is supposed, that super current flows in two-dimensional layers of the lowest electron density. Эта работа проводилась в рамках темы Государ ственного комитета Украины по вопросам науки и технологий (09.01.01 /034-94 NUT) и частично вы полнена благодаря поддержке Международного научного фонда, учрежденного Дж. Соросом (грант No. U 1G000). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ The electron density variation in YBa₂Cu₃O₇ crystals on substitution of Y³⁺ by the Рг⁴⁺ ion Article published earlier |
| spellingShingle | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ Волошин, В.А. Михеенко, П.И. Бабенко, В.В. Бутько, В.Г. Резник, И.М. Южелевский, Я.И. |
| title | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_alt | The electron density variation in YBa₂Cu₃O₇ crystals on substitution of Y³⁺ by the Рг⁴⁺ ion |
| title_full | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_fullStr | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_full_unstemmed | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_short | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ |
| title_sort | изменение электронной плотности в кристаллах yba₂cu₃o₇ при замещении y³⁺ ионом рг⁴⁺ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175486 |
| work_keys_str_mv | AT vološinva izmenenieélektronnoiplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT miheenkopi izmenenieélektronnoiplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT babenkovv izmenenieélektronnoiplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT butʹkovg izmenenieélektronnoiplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT reznikim izmenenieélektronnoiplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT ûželevskiiâi izmenenieélektronnoiplotnostivkristallahyba2cu3o7prizameŝeniiy3ionomrg4 AT vološinva theelectrondensityvariationinyba2cu3o7crystalsonsubstitutionofy3bytherg4ion AT miheenkopi theelectrondensityvariationinyba2cu3o7crystalsonsubstitutionofy3bytherg4ion AT babenkovv theelectrondensityvariationinyba2cu3o7crystalsonsubstitutionofy3bytherg4ion AT butʹkovg theelectrondensityvariationinyba2cu3o7crystalsonsubstitutionofy3bytherg4ion AT reznikim theelectrondensityvariationinyba2cu3o7crystalsonsubstitutionofy3bytherg4ion AT ûželevskiiâi theelectrondensityvariationinyba2cu3o7crystalsonsubstitutionofy3bytherg4ion |