Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺
Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1995 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175486 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³+ ионом Рг⁴+ / В.А. Волошин, П.И. Михеенко, В.В. Бабенко, В.Г. Бутько, И.М. Резник, Я.И. Южелевский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 514-517. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |