Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1995
• Hauptverfasser: Колмаков, А.А., Станкевич, В.Г., Суханов, Л.П., Гертлер, П., Краас, М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно­
 стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего 
 света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми­
 руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на 
 центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда 
 между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена 
 оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- 
 локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов 
 наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется 
 преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ­
 це. Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва- 
 ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки 
 фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на 
 поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням 
 рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються 
 як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр 
 збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова- 
 них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект 
 пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем 
 у зразку. Photoconductivity and luminescence excitation 
 spectra were measured on solid Xe samples doped at the 
 surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra 
 show peaks at ihe excitionic positions indicating, that 
 movable charges are produced at the surface. The pro­
 cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺
 centres and the subsequent formation of a movable hole 
 due to a charge transfer between the exciton and the 
 hole. The movable holes are recorded as measurable 
 photocurrents. 1'he probability of the hole formation is 
 estimated. The luminescence excitation spectra are si­
 milar to the known ones with minima at the exciton posi­
 tions. However, for ion doped samples some quenching 
 is observed in the high energy part of the spectra. It is 
 interpreted mainly as high electric field-induced ioniza­
 tion of the exciiions with n = 2.