Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно
 стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего 
 света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энерги...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1995 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862734637455900672 |
|---|---|
| author | Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М. |
| author_facet | Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М. |
| citation_txt | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно
стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего 
света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми
руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на 
центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда 
между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена 
оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- 
локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов 
наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется 
преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ
це.
Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва- 
ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки 
фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на 
поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням 
рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються 
як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр 
збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова- 
них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект 
пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем 
у зразку.
Photoconductivity and luminescence excitation 
spectra were measured on solid Xe samples doped at the 
surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra 
show peaks at ihe excitionic positions indicating, that 
movable charges are produced at the surface. The pro
cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺
centres and the subsequent formation of a movable hole 
due to a charge transfer between the exciton and the 
hole. The movable holes are recorded as measurable 
photocurrents. 1'he probability of the hole formation is 
estimated. The luminescence excitation spectra are si
milar to the known ones with minima at the exciton posi
tions. However, for ion doped samples some quenching 
is observed in the high energy part of the spectra. It is 
interpreted mainly as high electric field-induced ioniza
tion of the exciiions with n = 2.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:43:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175494 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:43:45Z |
| publishDate | 1995 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М. 2021-02-01T15:28:55Z 2021-02-01T15:28:55Z 1995 Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494 538.9 Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно
 стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего 
 света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми
 руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на 
 центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда 
 между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена 
 оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- 
 локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов 
 наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется 
 преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ
 це. Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва- 
 ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки 
 фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на 
 поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням 
 рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються 
 як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр 
 збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова- 
 них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект 
 пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем 
 у зразку. Photoconductivity and luminescence excitation 
 spectra were measured on solid Xe samples doped at the 
 surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra 
 show peaks at ihe excitionic positions indicating, that 
 movable charges are produced at the surface. The pro
 cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺
 centres and the subsequent formation of a movable hole 
 due to a charge transfer between the exciton and the 
 hole. The movable holes are recorded as measurable 
 photocurrents. 1'he probability of the hole formation is 
 estimated. The luminescence excitation spectra are si
 milar to the known ones with minima at the exciton posi
 tions. However, for ion doped samples some quenching 
 is observed in the high energy part of the spectra. It is 
 interpreted mainly as high electric field-induced ioniza
 tion of the exciiions with n = 2. Авторы благодарны Л. И. Меньшикову за полезные обсуждения при интерпретации результатов. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе Ionization of excitons at impurity ХеК⁺ molecular ions isolated in solid Xe Article published earlier |
| spellingShingle | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе Колмаков, А.А. Станкевич, В.Г. Суханов, Л.П. Гертлер, П. Краас, М. |
| title | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе |
| title_alt | Ionization of excitons at impurity ХеК⁺ molecular ions isolated in solid Xe |
| title_full | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе |
| title_fullStr | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе |
| title_full_unstemmed | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе |
| title_short | Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе |
| title_sort | ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах хек⁺, изолированных в твердом хе |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494 |
| work_keys_str_mv | AT kolmakovaa ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT stankevičvg ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT suhanovlp ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT gertlerp ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT kraasm ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe AT kolmakovaa ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe AT stankevičvg ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe AT suhanovlp ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe AT gertlerp ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe AT kraasm ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe |