Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе

Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе

Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно­ стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми­ руютс...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1995
Main Authors: Колмаков, А.А., Станкевич, В.Г., Суханов, Л.П., Гертлер, П., Краас, М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-175494
record_format dspace
spelling Колмаков, А.А.
Станкевич, В.Г.
Суханов, Л.П.
Гертлер, П.
Краас, М.
2021-02-01T15:28:55Z
2021-02-01T15:28:55Z
1995
Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494
538.9
Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно­ стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми­ руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ­ це.
Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва- ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова- них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем у зразку.
Photoconductivity and luminescence excitation spectra were measured on solid Xe samples doped at the surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra show peaks at ihe excitionic positions indicating, that movable charges are produced at the surface. The pro­ cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺ centres and the subsequent formation of a movable hole due to a charge transfer between the exciton and the hole. The movable holes are recorded as measurable photocurrents. 1'he probability of the hole formation is estimated. The luminescence excitation spectra are si­ milar to the known ones with minima at the exciton posi­ tions. However, for ion doped samples some quenching is observed in the high energy part of the spectra. It is interpreted mainly as high electric field-induced ioniza­ tion of the exciiions with n = 2.
Авторы благодарны Л. И. Меньшикову за полез­ные обсуждения при интерпретации результатов.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
Ionization of excitons at impurity ХеК⁺ molecular ions isolated in solid Xe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
spellingShingle Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
Колмаков, А.А.
Станкевич, В.Г.
Суханов, Л.П.
Гертлер, П.
Краас, М.
title_short Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_full Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_fullStr Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_full_unstemmed Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе
title_sort ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах хек⁺, изолированных в твердом хе
author Колмаков, А.А.
Станкевич, В.Г.
Суханов, Л.П.
Гертлер, П.
Краас, М.
author_facet Колмаков, А.А.
Станкевич, В.Г.
Суханов, Л.П.
Гертлер, П.
Краас, М.
publishDate 1995
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Ionization of excitons at impurity ХеК⁺ molecular ions isolated in solid Xe
description Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно­ стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми­ руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто- локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ­ це. Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва- ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова- них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем у зразку. Photoconductivity and luminescence excitation spectra were measured on solid Xe samples doped at the surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra show peaks at ihe excitionic positions indicating, that movable charges are produced at the surface. The pro­ cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺ centres and the subsequent formation of a movable hole due to a charge transfer between the exciton and the hole. The movable holes are recorded as measurable photocurrents. 1'he probability of the hole formation is estimated. The luminescence excitation spectra are si­ milar to the known ones with minima at the exciton posi­ tions. However, for ion doped samples some quenching is observed in the high energy part of the spectra. It is interpreted mainly as high electric field-induced ioniza­ tion of the exciiions with n = 2.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175494
citation_txt Ионизация экситонов на примесных молекулярных ионах ХеК⁺, изолированных в твердом Хе / А.А. Колмаков, В.Г. Станкевич, Л.П. Суханов, П. Гертлер, М. Краас // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 559-564. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kolmakovaa ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe
AT stankevičvg ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe
AT suhanovlp ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe
AT gertlerp ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe
AT kraasm ionizaciâéksitonovnaprimesnyhmolekulârnyhionahhekizolirovannyhvtverdomhe
AT kolmakovaa ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe
AT stankevičvg ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe
AT suhanovlp ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe
AT gertlerp ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe
AT kraasm ionizationofexcitonsatimpurityhekmolecularionsisolatedinsolidxe
first_indexed 2025-12-07T19:43:45Z
last_indexed 2025-12-07T19:43:45Z
_version_ 1850879902400643072

Similar Items